| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第8-11页 |
| 1 课题研究背景及现状 | 第11-23页 |
| 1.1 Ti-N 晶体结构及应用 | 第11-13页 |
| 1.2 氮化硅（Si3N4）晶体结构及应用 | 第13-14页 |
| 1.3 Ti-Si-N 薄膜的制备方法 | 第14-18页 |
| 1.3.1 常用的 Ti-Si-N 薄膜的制备方法 | 第14-17页 |
| 1.3.2 制备 Ti-Si-N 薄膜时存在的问题 | 第17-18页 |
| 1.4 MEAM 的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.5 KMC 的研究现状 | 第20-23页 |
| 2 多体势基础理论 | 第23-30页 |
| 2.1 对势模型简介 | 第23-25页 |
| 2.1.1 Lennard-Jones 势简介 | 第23-24页 |
| 2.1.2 Morse 势简介 | 第24页 |
| 2.1.3 Born-Mayer 势简介 | 第24-25页 |
| 2.2 多体势简介 | 第25-30页 |
| 2.2.1 原子嵌入势简介 | 第25-26页 |
| 2.2.2 修正嵌入势函数(Modified EAM)势介绍 | 第26-30页 |
| 3 动力学蒙特卡罗(KMC)模拟 Ti-Si-N 薄膜生长 | 第30-39页 |
| 3.1 薄膜生长的基础理论 | 第30-34页 |
| 3.1.1 亚单层膜的生长模型 | 第30-31页 |
| 3.1.2 粒子的迁移过程 | 第31-32页 |
| 3.1.3 Ti-Si-N 薄膜三维生长的模型 | 第32-34页 |
| 3.2 薄膜生长的计算机模拟方法 | 第34-39页 |
| 3.2.1 分子动力学方法(MD)简介 | 第34-35页 |
| 3.2.2 蒙特卡罗(MC)方法简介 | 第35-37页 |
| 3.2.3 动力学蒙特卡罗(KMC)简介 | 第37-39页 |
| 4 仿真模型的建立 | 第39-55页 |
| 4.1 程序实现的具体步骤 | 第40-41页 |
| 4.2 随机选择粒子下落的程序 | 第41-48页 |
| 4.3 MEAM 和 KMC 流程的简要介绍 | 第48-54页 |
| 4.3.1 MEAM 的实现 | 第48-51页 |
| 4.3.2 KMC 的实现 | 第51-54页 |
| 4.4 程序界面的简要介绍 | 第54-55页 |
| 5 模拟结果分析 | 第55-70页 |
| 5.1 沉积温度对 Ti-Si-N 薄膜生长初期的影响 | 第55-59页 |
| 5.2 Si 含量对 Ti-Si-N 薄膜生长初期的影响 | 第59-64页 |
| 5.3 沉积速率对 Ti-Si-N 薄膜生长初期的影响 | 第64-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 在学研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
