| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-17页 |
| 1.2 国内外相关课题的研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第19-22页 |
| 第二章 ZnO和ZnMgO的基本结构与性质及Monte Carlo模型 | 第22-32页 |
| 2.1 ZnO的基本结构与特性 | 第22-25页 |
| 2.1.1 ZnO的晶体结构 | 第22-23页 |
| 2.1.2 ZnO的光学性质 | 第23-24页 |
| 2.1.3 压电特性 | 第24-25页 |
| 2.2 ZnMgO的基本结构和性质 | 第25-26页 |
| 2.2.1 ZnMgO的晶体结构 | 第25-26页 |
| 2.2.2 ZnMgO的光电性质 | 第26页 |
| 2.2.3 ZnMgO薄膜的应用 | 第26页 |
| 2.3 Monte Carlo模型在半导体中的应用 | 第26-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 ZnO及ZnMgO材料电子输运特性的Monte Carlo模拟 | 第32-44页 |
| 3.1 能带结构 | 第32页 |
| 3.2 散射机制 | 第32-37页 |
| 3.2.1 电离杂质散射 | 第32-33页 |
| 3.2.2 声学波形变势散射 | 第33-35页 |
| 3.2.3 极性光学波散射 | 第35-36页 |
| 3.2.4 谷间散射 | 第36页 |
| 3.2.5 合金散射 | 第36-37页 |
| 3.3 ZnO输运特性MC数值研究 | 第37-39页 |
| 3.3.1 ZnO能带结构 | 第37-38页 |
| 3.3.2 漂移速度 | 第38页 |
| 3.3.3 低场迁移率 | 第38页 |
| 3.3.4 瞬态输运特性 | 第38-39页 |
| 3.4 ZnMgO的输运特性研究 | 第39-42页 |
| 3.4.1 ZnMgO能带结构 | 第39-40页 |
| 3.4.2 ZnMgO的稳态和瞬态输运特性 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 ZnO MESFET器件特性的二维Monte Carlo模拟 | 第44-54页 |
| 4.1 ZnO MESFET器件结构 | 第44页 |
| 4.2 Monte Carlo算法流程 | 第44-49页 |
| 4.2.1 确定初始条件 | 第44-45页 |
| 4.2.2 边界条件 | 第45-46页 |
| 4.2.3 有限差分法求解泊松方程 | 第46-49页 |
| 4.3 模拟结果与分析 | 第49-53页 |
| 4.3.1 常规ZnO MESFET器件特性 | 第49-52页 |
| 4.3.2 表面态对ZnO MESFET特性的影响 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 作者简介 | 第62-63页 |
