| 中文摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 稀土发光材料概述 | 第10-11页 |
| 1.1.1 稀土发光材料的研究背景 | 第10页 |
| 1.1.2 稀土发光材料研究的重要意义 | 第10-11页 |
| 1.2 稀土发光材料研究现状及进展 | 第11-15页 |
| 1.2.1 国内研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 国外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.3 本课题组研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 稀土元素Eu~(3+)﹑Tb~(3+)的性质及相关概念 | 第15-16页 |
| 1.3.1 Eu~(3+)性质 | 第15-16页 |
| 1.3.2 Tb~(3+)性质 | 第16页 |
| 1.3.3 相关概念 | 第16页 |
| 1.3.3.1 光致发光 | 第16页 |
| 1.3.3.2 发光和猝灭 | 第16页 |
| 1.3.3.3 斯托克斯定律 | 第16页 |
| 1.3.3.4 能量传输 | 第16页 |
| 1.4 稀土发光材料研究的主要内容及目的 | 第16-18页 |
| 1.4.1 基质的选择 | 第16-17页 |
| 1.4.2 研究的内容 | 第17页 |
| 1.4.3 研究的目的 | 第17-18页 |
| 2 稀土发光材料的制备及测试 | 第18-22页 |
| 2.1 实验试剂 | 第18页 |
| 2.2 实验仪器 | 第18页 |
| 2.3 稀土发光材料的制备 | 第18-22页 |
| 2.3.1 溶液的配制 | 第18-19页 |
| 2.3.2 材料的制备 | 第19页 |
| 2.3.3 实验数据 | 第19-22页 |
| 3 稀土发光材料的结构及其发光性质 | 第22-53页 |
| 3.1 BaSO_4-2SiO_2:Eu~(3+)发光材料的结构与发光性质 | 第22-35页 |
| 3.1.1 DTA-TG分析 | 第22页 |
| 3.1.2 IR分析 | 第22-23页 |
| 3.1.3 XRD分析 | 第23-24页 |
| 3.1.4 激发与发射光谱分析 | 第24-25页 |
| 3.1.5 稀土离子掺杂量对发光性质的影响 | 第25-26页 |
| 3.1.6 基质中BaSO_4与SiO_2的摩尔比对发光性能的影响 | 第26-27页 |
| 3.1.7 不同退火温度对样品发光性质的影响 | 第27-28页 |
| 3.1.8 基质中SO_4~(2-)的量对发光性能的影响 | 第28-33页 |
| 3.1.8.1 材料的结构 | 第28-29页 |
| 3.1.8.2 材料的发光性质 | 第29-31页 |
| 3.1.8.3 材料发光性质变化的解释 | 第31-33页 |
| 3.1.9 色品坐标图 | 第33-34页 |
| 3.1.10 能量传递 | 第34页 |
| 3.1.11 小结 | 第34-35页 |
| 3.2 BaSO_4-2SiO_2:Tb~(3+)发光材料的结构与发光性质 | 第35-46页 |
| 3.2.1 DTA-TG分析 | 第35页 |
| 3.2.2 IR分析 | 第35-36页 |
| 3.2.3 XRD分析 | 第36-37页 |
| 3.2.4 TEM与EDS分析 | 第37-38页 |
| 3.2.5 激发与发射光谱分析 | 第38-39页 |
| 3.2.6 稀土离子掺杂量对发光性质的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.7 基质中BaSO_4与SiO_2的摩尔比对发光性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.8 不同退火温度对激发与发射光谱的影响 | 第41-43页 |
| 3.2.9 色品坐标图 | 第43页 |
| 3.2.10 基质中SO_4~(2-)的量对发光性能的影响 | 第43-46页 |
| 3.2.10.1 材料的结构 | 第43-44页 |
| 3.2.10.2 材料的发光性质及其解释 | 第44-46页 |
| 3.3 BaSO_4-2SiO_2:(Eu~(3+)/Tb~(3+))发光材料的结构与发光性质 | 第46-53页 |
| 3.3.1 IR分析 | 第46-47页 |
| 3.3.2 XRD分析 | 第47页 |
| 3.3.3 激发和发射光谱分析 | 第47-49页 |
| 3.3.4 退火温度对发射光谱的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.5 色品坐标图分析 | 第50页 |
| 3.3.6 Tb~(3+)→Eu~(3+)能量的传递 | 第50-52页 |
| 3.3.7 小结 | 第52-53页 |
| 4 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
