| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 透明导电氧化物薄膜简介 | 第13-15页 |
| 1.2.1 透明导电氧化物薄膜的研究历程 | 第13-14页 |
| 1.2.2 三种常见的透明导电氧化物薄膜 | 第14-15页 |
| 1.3 六种制备透明导电氧化物薄膜的方法 | 第15-19页 |
| 1.3.1 磁控溅射法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 脉冲激光沉积法 | 第16页 |
| 1.3.3 化学气相淀积法 | 第16-17页 |
| 1.3.4 真空蒸镀法 | 第17页 |
| 1.3.5 喷雾热解法 | 第17-18页 |
| 1.3.6 溶胶-凝胶法 | 第18-19页 |
| 1.4 SnO_2薄膜的结构和性能 | 第19-20页 |
| 1.4.1 SnO_2的基本性质 | 第19页 |
| 1.4.2 掺杂SnO_2薄膜的导电机理 | 第19-20页 |
| 1.5 本课题研究目的和主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 改进的溶胶凝胶法制备FTO薄膜原理及工艺技术 | 第22-26页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 溶胶-凝胶法制备薄膜反应原理 | 第22-24页 |
| 2.2.1 溶胶凝胶法制备SiO_2胶体的反应机理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 改进的溶胶凝胶法制备FTO胶体的原理 | 第23-24页 |
| 2.3 制备FTO薄膜工艺过程 | 第24-25页 |
| 2.3.1 溶胶凝胶法制备薄膜的基本过程 | 第24页 |
| 2.3.2 旋涂法涂胶 | 第24-25页 |
| 2.3.3 干燥及高温退火 | 第25页 |
| 2.4 小结 | 第25-26页 |
| 第三章 溶胶凝胶法制备FTO薄膜的工艺过程及性能表征 | 第26-45页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 实验试剂与实验仪器 | 第26-28页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第26-27页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第27-28页 |
| 3.3 溶胶凝胶法制备FTO薄膜的制备工艺 | 第28-29页 |
| 3.3.1 FTO薄膜制备工艺流程图 | 第28页 |
| 3.3.2 清洗玻璃基片 | 第28-29页 |
| 3.3.3 旋涂法涂胶成膜 | 第29页 |
| 3.4 溶胶配置方案 | 第29-37页 |
| 3.4.1 二氧化硅溶胶的配置 | 第29-30页 |
| 3.4.2 FTO溶胶的配置 | 第30-37页 |
| 3.5 实验步骤 | 第37-42页 |
| 3.5.1 SiO_2溶胶的配置 | 第37-38页 |
| 3.5.2 FTO溶胶的配置 | 第38-39页 |
| 3.5.3 玻璃片的清洗 | 第39-40页 |
| 3.5.4 SiO_2薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 3.5.5 FTO薄膜的制备 | 第41-42页 |
| 3.6 薄膜性能表征 | 第42-43页 |
| 3.6.1 测试物相及结构的设备和方法 | 第42页 |
| 3.6.2 测试膜厚的设备和方法 | 第42页 |
| 3.6.3 测试光学性能的设备和方法 | 第42-43页 |
| 3.6.4 测试电学性能的设备和方法 | 第43页 |
| 3.6.5 测试红外光谱的设备和方法 | 第43页 |
| 3.7 小结 | 第43-45页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第45-60页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 红外光谱分析 | 第45-46页 |
| 4.3 薄膜物相及结构的XRD分析 | 第46-50页 |
| 4.3.1 退火温度的影响 | 第46-48页 |
| 4.3.2 不同气氛下退火的影响 | 第48页 |
| 4.3.3 氟掺杂量的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.4 干凝胶再溶解法对比普通溶胶凝胶法 | 第49-50页 |
| 4.4 光学性能分析 | 第50-53页 |
| 4.4.1 氟掺杂浓度对透射率的影响 | 第50-51页 |
| 4.4.2 退火气氛对薄膜透射率的影响 | 第51-52页 |
| 4.4.3 薄膜厚度对透射率的影响 | 第52-53页 |
| 4.4.4 干凝胶再溶解法与普通溶胶凝胶法薄膜透射率的比较 | 第53页 |
| 4.5 导电性能分析 | 第53-58页 |
| 4.5.1 氟的掺杂浓度对薄膜电阻率的影响 | 第54页 |
| 4.5.2 薄膜厚度对电阻率的影响 | 第54-55页 |
| 4.5.3 退火温度对薄膜电阻率的影响 | 第55-56页 |
| 4.5.4 退火气氛对薄膜电阻率的影响 | 第56-57页 |
| 4.5.5 有无Si O2对薄膜电阻率的影响 | 第57页 |
| 4.5.6 干凝胶再溶解法与普通溶胶凝胶法薄膜电阻率的比较 | 第57-58页 |
| 4.6 小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 结论 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
