In和S掺杂SnO2薄膜的制备、表征和光电性质的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 SnO_2的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.2.1 SnO_2的结构性质 | 第12页 |
| 1.2.2 SnO_2薄膜的光学特性 | 第12-13页 |
| 1.2.3 SnO_2薄膜的电学特性 | 第13页 |
| 1.2.4 SnO_2薄膜的气敏特性 | 第13页 |
| 1.2.5 SnO_2薄膜的湿敏特性 | 第13-14页 |
| 1.3 SnO_2薄膜的制备方法 | 第14-17页 |
| 1.3.1 物理气相沉积法 | 第14-16页 |
| 1.3.1.1 磁控溅射技术 | 第14-15页 |
| 1.3.1.2 射频溅射法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法 | 第16页 |
| 1.3.3 溶胶凝胶法 | 第16页 |
| 1.3.4 水热法 | 第16-17页 |
| 1.4 薄膜常用的性能表征方法 | 第17-25页 |
| 1.4.1 X射线衍射谱 | 第17-19页 |
| 1.4.2 拉曼光谱 | 第19-20页 |
| 1.4.3 场发射扫描电子显微镜 | 第20-21页 |
| 1.4.4 X射线光电子能谱分析 | 第21页 |
| 1.4.5 紫外-可见吸收光谱 | 第21-22页 |
| 1.4.6 霍尔效应测试系统 | 第22-25页 |
| 1.5 SnO_2薄膜的应用 | 第25页 |
| 1.5.1 SnO_2薄膜在电子工业上的应用 | 第25页 |
| 1.5.2 SnO_2薄膜在玻璃工业上的应用 | 第25页 |
| 1.6 掺杂SnO_2薄膜的研究进展 | 第25-27页 |
| 1.6.1 n型SnO_2薄膜 | 第25-26页 |
| 1.6.2 p型SnO_2薄膜 | 第26-27页 |
| 1.7 选题动机与本课题的工作安排 | 第27-28页 |
| 第二章 未掺杂SnO_2薄膜的制备与性能表征 | 第28-35页 |
| 2.1 未掺杂SnO_2薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 2.2 SnO_2薄膜形貌和结构分析 | 第30-33页 |
| 2.2.1 未掺杂SnO_2薄膜形貌分析 | 第31页 |
| 2.2.2 退火温度对SnO_2薄膜结构的影响 | 第31-33页 |
| 2.3 不同退火温度下Sn O2薄膜的吸收光谱 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 掺In的SnO_2薄膜的制备及表征 | 第35-41页 |
| 3.1 掺In的SnO_2薄膜的制备 | 第35页 |
| 3.2 掺In的SnO_2薄膜结构和成分分析 | 第35-38页 |
| 3.2.1 掺In的Sn O2薄膜的结构分析 | 第35-37页 |
| 3.2.2 掺In的Sn O2薄膜的成分分析 | 第37-38页 |
| 3.3 SnO_2薄膜的光学性质 | 第38-39页 |
| 3.4 SnO_2薄膜的电学性质 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 掺S的SnO_2薄膜的制备及表征 | 第41-47页 |
| 4.1 掺S的SnO_2薄膜的制备 | 第41页 |
| 4.2 掺S的SnO_2薄膜结构和成分分析 | 第41-44页 |
| 4.2.1 掺S的SnO_2薄膜结构分析 | 第41-43页 |
| 4.2.2 掺S的SnO_2薄膜成分分析 | 第43-44页 |
| 4.3 掺S的SnO_2薄膜的光学性质 | 第44-45页 |
| 4.4 掺S的SnO_2薄膜的电学性质 | 第45-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 In、S共掺的SnO_2薄膜的制备及表征 | 第47-51页 |
| 5.1 In、S共掺的SnO_2薄膜的制备 | 第47页 |
| 5.2 In、S共掺的SnO_2薄膜结构 | 第47-49页 |
| 5.3 In、S共掺的SnO_2薄膜的光学性质 | 第49页 |
| 5.4 In、S共掺的SnO_2薄膜的电学性质 | 第49-50页 |
| 5.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 结论与展望 | 第51-52页 |
| 6.1 本文总结 | 第51页 |
| 6.2 研究展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
