| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体二极管发展历史、分类及研究现状分类 | 第9-14页 |
| 1.2.1 半导体二极管发展历史 | 第9-10页 |
| 1.2.2 半导体二极管的分类 | 第10-11页 |
| 1.2.3 半导体发光二极管的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 太阳能电池的发展历史、分类及研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3.1 太阳能电池的发展历史 | 第14页 |
| 1.3.2 太阳能电池分类 | 第14-15页 |
| 1.3.3 太阳能电池的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 作者的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 半导体LED电学特性的基本分析方法 | 第18-26页 |
| 2.1 传统电流电压法（I-V法） | 第18-19页 |
| 2.2 电导数方法(dV/dI法) | 第19-20页 |
| 2.3 电容电压测量方法（C-V法） | 第20-23页 |
| 2.3.1 并联模式 | 第21-22页 |
| 2.3.2 串联模式 | 第22-23页 |
| 2.4 AC-IV法 | 第23-24页 |
| 2.5 小结 | 第24-26页 |
| 第三章 不同阱宽的多量子阱LED的电学特性 | 第26-43页 |
| 3.1 实验样品 | 第26页 |
| 3.2 GaN-MQWs-LEDs的I-V特性与阱宽关系。 | 第26-39页 |
| 3.2.1 传统电流-电压法测量结果 | 第26-32页 |
| 3.2.2 电导数方法 | 第32页 |
| 3.2.3 不同量子阱宽度的LED的结特性 | 第32-39页 |
| 3.3 GaN-MQWs-LEDs中的负电容现象 | 第39-42页 |
| 3.4 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 多量子阱LED的内量子效率及载流子浓度计算 | 第43-57页 |
| 4.1 发光二极管的光谱特性 | 第43-47页 |
| 4.2 发光二极管的ABC模型 | 第47-48页 |
| 4.3 不同量子阱宽的GaN-MQWs-LEDs的ABC模型中的各参数 | 第48-55页 |
| 4.3.1 GaN-MQWs-LEDs中的内量子效率的计算 | 第48-50页 |
| 4.3.2 GaN-MQWs-LEDs的ABC模型中各复合系数的计算 | 第50-52页 |
| 4.3.3 GaN-MQWs-LEDs中的载流子浓度的估算 | 第52-54页 |
| 4.3.4 GaN-MQWs-LEDs中的辐射复合寿命 | 第54-55页 |
| 4.4 小结 | 第55-57页 |
| 第五章 染料敏化太阳能电池中的负电容现象 | 第57-65页 |
| 5.1 染料敏化太阳能电池中的负电容现象 | 第57-58页 |
| 5.2 输运特性 | 第58-64页 |
| 5.3 小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 本文总结 | 第65-66页 |
| 6.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
