| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 前言 | 第14-15页 |
| 1.2 铝硅合金表面改性技术 | 第15-16页 |
| 1.3 微弧氧化技术简介 | 第16-17页 |
| 1.4 铝合金微弧氧化研究进展 | 第17-28页 |
| 1.4.1 氧化机理 | 第17-19页 |
| 1.4.2 成膜过程及电能消耗 | 第19-21页 |
| 1.4.3 膜层组织结构 | 第21-22页 |
| 1.4.4 影响膜层生长及性能的因素 | 第22-24页 |
| 1.4.5 铝硅合金微弧氧化研究现状 | 第24-28页 |
| 1.5 论文选题依据及研究内容 | 第28-30页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第28-29页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 实验材料与方法 | 第30-39页 |
| 2.1 实验材料 | 第30页 |
| 2.1.1 基体材料 | 第30页 |
| 2.1.2 试验药品 | 第30页 |
| 2.2 实验装置 | 第30-33页 |
| 2.3 试样制备 | 第33-35页 |
| 2.3.1 基体合金熔炼 | 第33-34页 |
| 2.3.2 试样加工 | 第34页 |
| 2.3.3 膜层制备 | 第34-35页 |
| 2.4 分析与表征 | 第35-39页 |
| 2.4.1 基体金相 | 第35页 |
| 2.4.2 放电火花形貌 | 第35页 |
| 2.4.3 膜厚 | 第35页 |
| 2.4.4 表面粗糙度 | 第35页 |
| 2.4.5 物相结构 | 第35页 |
| 2.4.6 微观形貌 | 第35-36页 |
| 2.4.7 元素成分和价态 | 第36页 |
| 2.4.8 显微硬度 | 第36页 |
| 2.4.9 耐磨损性能 | 第36页 |
| 2.4.10 耐腐蚀性能 | 第36-37页 |
| 2.4.11 电能消耗 | 第37-39页 |
| 第三章 硅含量对铝硅合金微弧氧化的影响 | 第39-68页 |
| 3.1 基体组织特征 | 第39页 |
| 3.2 基于低硅变形铝合金微弧氧化工艺的膜层特征 | 第39-42页 |
| 3.3 高硅铝合金恒流微弧氧化工艺优化 | 第42-46页 |
| 3.4 恒流优化工艺下硅含量对铝硅合金微弧氧化的影响 | 第46-53页 |
| 3.4.1 氧化电压 | 第47-48页 |
| 3.4.2 膜层厚度 | 第48页 |
| 3.4.3 膜层物相结构 | 第48-49页 |
| 3.4.4 膜层截面形貌及元素分布 | 第49-52页 |
| 3.4.5 成膜能耗 | 第52-53页 |
| 3.5 恒压氧化下硅含量对铝硅合金微弧氧化的影响 | 第53-58页 |
| 3.5.1 氧化电流密度 | 第53-54页 |
| 3.5.2 膜层厚度 | 第54-55页 |
| 3.5.3 膜层物相结构 | 第55页 |
| 3.5.4 膜层截面形貌及元素分布 | 第55-58页 |
| 3.5.6 成膜能耗 | 第58页 |
| 3.6 硅含量对铝硅合金微弧氧化的作用分析 | 第58-66页 |
| 3.6.1 恒流氧化下硅含量的影响 | 第58-61页 |
| 3.6.2 恒压氧化下硅含量的影响 | 第61-63页 |
| 3.6.3 恒流氧化和恒压氧化的异同点 | 第63-66页 |
| 3.7 本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 基体硅相尺寸对铝硅合金微弧氧化的影响 | 第68-91页 |
| 4.1 共晶硅和初生硅相的氧化过程分析 | 第68-74页 |
| 4.2 共晶硅相细化对铝硅合金微弧氧化的影响 | 第74-84页 |
| 4.2.1 基体组织形貌 | 第74-75页 |
| 4.2.2 成膜过程及特征 | 第75-80页 |
| 4.2.3 膜层性能 | 第80-83页 |
| 4.2.4 成膜能耗 | 第83-84页 |
| 4.3 共晶硅相尺寸对铝硅合金微弧氧化的作用分析 | 第84-89页 |
| 4.3.1 成膜过程分析 | 第84-86页 |
| 4.3.2 放电模型分析 | 第86-89页 |
| 4.4 本章小结 | 第89-91页 |
| 第五章 基体表层硅相消除对铝硅合金微弧氧化的影响 | 第91-116页 |
| 5.1 刻蚀工艺优化 | 第91-94页 |
| 5.1.1 刻蚀液组成 | 第91-93页 |
| 5.1.2 刻蚀时间 | 第93-94页 |
| 5.2 刻蚀对共晶铝硅合金微弧氧化的影响 | 第94-105页 |
| 5.2.1 基体表面形貌 | 第94-95页 |
| 5.2.2 电弧形貌 | 第95-97页 |
| 5.2.3 氧化电压 | 第97-98页 |
| 5.2.4 膜层特征 | 第98-102页 |
| 5.2.5 膜层性能 | 第102-104页 |
| 5.2.6 成膜能耗 | 第104-105页 |
| 5.3 刻蚀对其它铝硅合金微弧氧化的影响 | 第105-108页 |
| 5.3.1 基体表面形貌及成分 | 第106-107页 |
| 5.3.2 膜层生长速率 | 第107页 |
| 5.3.3 成膜能耗 | 第107-108页 |
| 5.4 表层硅相消除对铝硅合金微弧氧化的作用分析 | 第108-115页 |
| 5.4.1 表面成分 | 第108-111页 |
| 5.4.2 成膜过程分析 | 第111-113页 |
| 5.4.3 放电模型分析 | 第113-115页 |
| 5.5 本章小结 | 第115-116页 |
| 全文总结 | 第116-120页 |
| 参考文献 | 第120-134页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第134-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 附表 | 第136页 |