| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物的结构和特性 | 第13-17页 |
| 1.3 论文结构和研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第20-38页 |
| 2.1 衬底材料介绍 | 第20-21页 |
| 2.2 LED衬底材料的种类 | 第21-24页 |
| 2.3 LED外延片介绍 | 第24-27页 |
| 2.3.1 外延片的概念 | 第24-25页 |
| 2.3.2 LED对外延材料的基本要求 | 第25-27页 |
| 2.4 LED外延技术介绍 | 第27-30页 |
| 2.5 半导体中常见的光学过程 | 第30-34页 |
| 2.5.1 本征吸收 | 第30-32页 |
| 2.5.2 激子吸收 | 第32-33页 |
| 2.5.3 杂质吸收 | 第33-34页 |
| 2.6 实验配置 | 第34-38页 |
| 第三章 InGaN/GaN多量子阱光致发光特性的研究 | 第38-48页 |
| 3.1 研究背景和意义 | 第38页 |
| 3.2 InGaN/GaN多量子阱的结构 | 第38-40页 |
| 3.3 InGaN/GaN多量子阱的实验数据与分析 | 第40-45页 |
| 3.3.1 InGaN/GaN多量子阱光致发光的温度依赖性 | 第40-41页 |
| 3.3.2 InGaN/GaN多量子阱光致发光峰位半高宽的温度依赖性 | 第41-42页 |
| 3.3.3 InGaN/GaN多量子阱光致发光峰位半高宽的功率依赖性 | 第42-44页 |
| 3.3.4 InGaN/GaN多量子阱内量子效率的功率依赖性 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-48页 |
| 第四章 电流、温度和EBL厚度对InGaN/GaN多量子阱LED电致发光的影响 | 第48-58页 |
| 4.1 样品的制备和结构 | 第48-50页 |
| 4.2 数据与分析 | 第50-57页 |
| 4.2.1 I-V曲线 | 第50页 |
| 4.2.2 EL谱峰位半高宽的温度依赖性 | 第50-51页 |
| 4.2.3 EL谱峰位半高宽的电流依赖性 | 第51-53页 |
| 4.2.4 EBL厚度对InGaN/GaN多量子阱发光特性的影响 | 第53-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 附件 | 第69页 |
