| 摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 第1章 绪论 | 第14-52页 |
| 1.1 引言 | 第14-19页 |
| 1.1.1 发光二极管的早期发展 | 第15-17页 |
| 1.1.2 Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的发展 | 第17-19页 |
| 1.2 AlGaInP发光二极管的结构和基本性质 | 第19-25页 |
| 1.2.1 AlGaInP四元合金半导体 | 第19-22页 |
| 1.2.2 AlGaInP发光二极管的结构和工作原理 | 第22-25页 |
| 1.3 提高LED光提取效率的方法 | 第25-43页 |
| 1.3.1 图形化结构提高LED光提取效率 | 第27-34页 |
| 1.3.2 光辅助化学腐蚀提高LED光提取效率 | 第34-42页 |
| 1.3.3 其他方法提高LED光提取效率 | 第42-43页 |
| 1.4 研究目的和主要研究内容 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 第2章 利用纳米压痕技术提高AlGaInP发光二极管光提取效率 | 第52-74页 |
| 2.1 引言 | 第52-53页 |
| 2.2 压痕理论及纳米压痕技术 | 第53-60页 |
| 2.2.1 压痕理论 | 第54-59页 |
| 2.2.2 纳米压痕技术及应用 | 第59-60页 |
| 2.3 GaP纳米压痕性质 | 第60-63页 |
| 2.4 在GaP窗口成制备大面积纳米压痕结构 | 第63-65页 |
| 2.4.1 实验步骤 | 第64-65页 |
| 2.5 结果与讨论 | 第65-69页 |
| 2.5.1 大面积周期性纳米压痕结构 | 第65-67页 |
| 2.5.2 纳米压痕结构对AlGaInP LED光电性质的影响 | 第67-69页 |
| 2.6 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第3章 化学腐蚀辅助提高纳米压痕结构AlGaInP LED光提取效率 | 第74-87页 |
| 3.1 引言 | 第74-75页 |
| 3.2 实验步骤 | 第75-76页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第76-85页 |
| 3.3.1 压痕结构 | 第76-82页 |
| 3.3.2 经过腐蚀的纳米压痕结构对AlGaInP LED光电性质的影响 | 第82-85页 |
| 结论 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 第4章 结论与展望 | 第87-89页 |
| 4.1 主要结论 | 第87-88页 |
| 4.2 本论文的创新点 | 第88页 |
| 4.3 有待进一步开展的工作 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第91-92页 |
| 附件 | 第92-96页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第96页 |
