| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题的背景及意义 | 第10-13页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第13-17页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 低功耗器件与典型的隧穿器件 | 第19-32页 |
| 2.1 后摩尔定律时代 | 第19页 |
| 2.2 新型低功耗器件介绍 | 第19-21页 |
| 2.2.1 自旋逻辑器件 | 第19-20页 |
| 2.2.2 石墨烯器件 | 第20页 |
| 2.2.3 TFET器件 | 第20-21页 |
| 2.3 几种典型的隧穿器件 | 第21-30页 |
| 2.3.1 隧穿二极管 | 第21-25页 |
| 2.3.2 隧穿场效应晶体管 | 第25-30页 |
| 2.3.2.1 隧穿场效应晶体管(TFET)工作机理 | 第25-27页 |
| 2.3.2.2 几种典型的隧穿场效应晶体管 | 第27-28页 |
| 2.3.2.3 隧穿场效应晶体管开态电流 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 基于SOI技术的EFC-TFET结构设计 | 第32-46页 |
| 3.1 电场集中分析 | 第32-33页 |
| 3.2 电场集中的TFET结构与工作机制 | 第33-35页 |
| 3.3 仿真与讨论 | 第35-45页 |
| 3.3.1 介质块尺寸的影响 | 第35-39页 |
| 3.3.2 介质块介电常数的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 栅场板对器件电学性能的影响 | 第40-45页 |
| 3.4 本章总结 | 第45-46页 |
| 第四章 不同结构参数对EFC- TFET分析 | 第46-61页 |
| 4.1 薄外延层厚度对开关态电流影响 | 第46-51页 |
| 4.2 不同介质对隧穿结不同位置隧穿几率的影响 | 第51-53页 |
| 4.3 源区杂质浓度对EFC-TFET电学特性影响 | 第53-55页 |
| 4.3.1 不同源区杂质浓度的转移特性仿真研究 | 第54页 |
| 4.3.2 源区杂质浓度不同时的能带仿真研究 | 第54-55页 |
| 4.4 EFC介质块位置对TFET隧穿结电场仿真研究 | 第55-58页 |
| 4.5 真空介质块在降低EFC-TFET源区杂质浓度研究 | 第58-60页 |
| 4.6 本章总结 | 第60-61页 |
| 第五章 基于硅基衬底的EFC-TFET关态电流抑制 | 第61-68页 |
| 5.1 TFET关态泄漏电流起源 | 第61页 |
| 5.2 抑制关态泄漏电结构设计 | 第61-65页 |
| 5.3 N型掺杂层厚度对关态泄漏电流影响 | 第65-66页 |
| 5.4 衬底厚度对关态泄漏电流影响 | 第66-67页 |
| 5.5 本章总结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-70页 |
| 6.1 本文的主要工作和贡献 | 第68-69页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第75-76页 |
