摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第8-19页 |
1.1 纳米铜和多孔铜的应用 | 第8-11页 |
1.1.1 纳米铜的应用 | 第8-9页 |
1.1.2 多孔铜的应用 | 第9-11页 |
1.2 纳米铜和多孔铜的制备 | 第11-17页 |
1.2.1 纳米铜的制备 | 第11-14页 |
1.2.2 多孔铜的制备 | 第14-17页 |
1.3 本论文的研究目的、意义及内容 | 第17-19页 |
1.3.1 本论文的研究目的、意义 | 第17页 |
1.3.2 本论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
第2章 实验过程 | 第19-31页 |
2.1 实验试剂 | 第19页 |
2.2 实验仪器及设备 | 第19-21页 |
2.3 实验方案 | 第21-22页 |
2.4 纳米铜粉的制备 | 第22页 |
2.5 多孔铜材料的制备 | 第22-24页 |
2.5.1 发泡剂g-C_3N_4的制备 | 第22页 |
2.5.2 g-C_3N_4/Cu复合粉的制备 | 第22-23页 |
2.5.3 干压成型 | 第23页 |
2.5.4 烧结 | 第23-24页 |
2.6 试样处理 | 第24-25页 |
2.7 性能测试 | 第25-30页 |
2.7.1 孔隙率 | 第25页 |
2.7.2 导热率 | 第25-27页 |
2.7.3 热膨胀系数 | 第27-28页 |
2.7.4 压缩试验 | 第28-30页 |
2.8 物相分析以及显微组织的观察 | 第30-31页 |
第3章 片状纳米铜粉、氮化碳的制备及性能 | 第31-42页 |
3.1 纳米铜粉的制备 | 第31-37页 |
3.1.1 晶体的形核原理 | 第31-33页 |
3.1.2 温度对产物物相的影响 | 第33页 |
3.1.3 反应介质对微/纳米铜粉形貌的影响 | 第33-34页 |
3.1.4 溶液PH值对微/纳米铜形貌的影响 | 第34-35页 |
3.1.5 片状纳米铜的能谱分析 | 第35-36页 |
3.1.6 微/纳米铜的光电子能谱 | 第36页 |
3.1.7 微/纳米铜的紫外-可见光谱分析 | 第36-37页 |
3.2 g-C_3N_4的制备 | 第37-41页 |
3.2.1 g-C_3N_4的物相和结构分析 | 第37-38页 |
3.2.2 g-C_3N_4 SEM图 | 第38-39页 |
3.2.3 g-C_3N_4的EDS图谱分析 | 第39-40页 |
3.2.4 g-C_3N_4的荧光图谱 | 第40页 |
3.2.5 g-C_3N_4的IR图谱 | 第40-41页 |
3.3 本章小结 | 第41-42页 |
第4章 多孔铜的制备与性能 | 第42-66页 |
4.1 g-C_3N_4/Cu复合粉的表征 | 第42-44页 |
4.2 多孔铜的表征与分析 | 第44-47页 |
4.2.1 C_3N_4含量对多孔铜形貌的影响 | 第44页 |
4.2.2 不同烧结温度对多孔铜形貌的影响 | 第44-47页 |
4.2.3 不同烧结时间对多孔铜形貌的影响 | 第47页 |
4.3 多孔铜孔隙率的表征与分析 | 第47-50页 |
4.3.1 C_3N_4含量对多孔铜孔隙率的影响 | 第47-48页 |
4.3.2 烧结温度对多孔铜孔隙率的影响 | 第48-49页 |
4.3.3 保温时间对多孔铜孔隙率的影响 | 第49-50页 |
4.4 多孔铜压缩性能的表征与分析 | 第50-56页 |
4.4.1 典型的多孔铜压缩应力-应变曲线 | 第51-52页 |
4.4.2 孔隙率(C_3N_4的含量)对多孔铜压缩应力-应变曲线的影响 | 第52-54页 |
4.4.3 烧结温度对多孔铜压缩应力-应变曲线的影响 | 第54-55页 |
4.4.4 保温时间对多孔铜压缩应力-应变曲线的影响 | 第55-56页 |
4.5 多孔铜导热性能的表征与分析 | 第56-62页 |
4.5.1 导热系数与孔隙率的关系 | 第57-59页 |
4.5.2 导热系数与测试温度的关系 | 第59-60页 |
4.5.3 导热系数与烧结温度的关系 | 第60-61页 |
4.5.4 导热系数与保温时间的关系 | 第61-62页 |
4.6 多孔铜热膨胀性能的表征与分析 | 第62-65页 |
4.6.1 温度及C_3N_4体积分数对多孔铜热膨胀性能的影响 | 第62-63页 |
4.6.2 烧结温度对多孔铜热膨胀性能的影响 | 第63-64页 |
4.6.3 保温时间对多孔铜热膨胀性能的影响 | 第64-65页 |
4.7 本章小结 | 第65-66页 |
第5章 结论 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-72页 |
攻读硕士期间发表的论文及专利 | 第72-73页 |
致谢 | 第73-74页 |