| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体材料概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 半导体材料的物理性质 | 第10-11页 |
| 1.2.2 半导体纳米材料的性能 | 第11-13页 |
| 1.3 ZnO的基本性质 | 第13-16页 |
| 1.4 ZnO纳米棒薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| 1.4.1 化学气相沉积(CVD) | 第16页 |
| 1.4.2 沉淀法 | 第16页 |
| 1.4.3 水热法 | 第16-17页 |
| 1.4.4 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第17-19页 |
| 1.4.5 其他方法 | 第19页 |
| 1.5 ZnO纳米棒的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第20-23页 |
| 第2章 试验方法及性能表征 | 第23-29页 |
| 2.1 试验材料及设备 | 第23-24页 |
| 2.1.1 试验材料 | 第23-24页 |
| 2.1.2 试验设备 | 第24页 |
| 2.2 试验过程 | 第24-26页 |
| 2.2.1 ZnO籽晶层的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.2 一维ZnO纳米棒的制备 | 第25-26页 |
| 2.2.3 ZnS包覆一维ZnO纳米棒的制备 | 第26页 |
| 2.3 性能分析方法 | 第26-29页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD）分析 | 第26页 |
| 2.3.2 扫描电镜（SEM）分析 | 第26-27页 |
| 2.3.3 透射电镜（TEM）分析 | 第27页 |
| 2.3.4 光致发光（PL）分析 | 第27-29页 |
| 第3章 ZnO籽晶层的制备与光学性能分析 | 第29-37页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 实验部分 | 第29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-34页 |
| 3.3.1 ZnO籽晶层的XRD分析 | 第29-31页 |
| 3.3.2 ZnO籽晶层的SEM分析 | 第31-32页 |
| 3.3.3 ZnO籽晶层的TEM分析 | 第32-34页 |
| 3.3.4 ZnO籽晶层的PL分析 | 第34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-37页 |
| 第4章 一维ZnO纳米棒的制备与光学性能分析 | 第37-45页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 实验条件 | 第37-38页 |
| 4.3 结果与分析 | 第38-43页 |
| 4.3.1 一维ZnO纳米棒的XRD分析 | 第38-39页 |
| 4.3.2 一维ZnO纳米棒的SEM分析 | 第39-41页 |
| 4.3.3 一维ZnO纳米棒的TEM分析 | 第41页 |
| 4.3.4 一维ZnO纳米棒的PL分析 | 第41-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 ZnS包覆一维ZnO纳米棒的制备与光学性能分析 | 第45-53页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 实验条件 | 第45-46页 |
| 5.3 结果与分析 | 第46-50页 |
| 5.3.1 ZnS包覆一维ZnO纳米棒的XRD分析 | 第46-47页 |
| 5.3.2 ZnS包覆一维ZnO纳米棒的SEM分析 | 第47-48页 |
| 5.3.3 ZnS包覆一维ZnO纳米棒的TEM分析 | 第48-49页 |
| 5.3.4 ZnS包覆一维ZnO纳米棒的PL分析 | 第49-50页 |
| 5.4 本章小结 | 第50-53页 |
| 第6章 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第61页 |
