| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.1.1 电推进系统 | 第10-11页 |
| 1.1.2 离子中和系统 | 第11页 |
| 1.2 中和器的发展及应用 | 第11-14页 |
| 1.3 碳纳米管场发射阴极的发展及存在的问题 | 第14-16页 |
| 1.4 本论文的内容及安排 | 第16-18页 |
| 第二章 碳纳米管场致发射简介 | 第18-25页 |
| 2.1 碳纳米管简介 | 第18-19页 |
| 2.2 碳纳米管的性质 | 第19-20页 |
| 2.3 几种常用的碳纳米管制备方法 | 第20-21页 |
| 2.4 基于碳纳米管的场致发射阵列 | 第21-22页 |
| 2.5 场致发射理论 | 第22-23页 |
| 2.6 本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 碳纳米管场致发射阴极的制备 | 第25-39页 |
| 3.1 碳纳米管场致发射阵列的制备工艺 | 第25-33页 |
| 3.1.1 硅片清洗 | 第26-27页 |
| 3.1.2 光刻工艺 | 第27-29页 |
| 3.1.3 催化剂沉积 | 第29-31页 |
| 3.1.4 MW-PECVD法制备碳纳米管微束阵列 | 第31-32页 |
| 3.1.5 碳纳米管生长机理研究 | 第32-33页 |
| 3.2 二极管结构碳纳米管场致发射阵列性能测试 | 第33-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 中和器结构的设计与仿真 | 第39-60页 |
| 4.1 中和器的设计模拟 | 第39-51页 |
| 4.1.1 仿真过程简介 | 第39-40页 |
| 4.1.2 中和器结构的建立与仿真 | 第40-42页 |
| 4.1.3 栅网对于电子截获率对比 | 第42-46页 |
| 4.1.4 栅极电压对于电子束发散性的影响 | 第46-47页 |
| 4.1.5 栅极开口倾斜度对电子束发散性的影响 | 第47-49页 |
| 4.1.6 栅极外圆环对电子束发散性的影响 | 第49-51页 |
| 4.2 圆形阴极中和器结构仿真 | 第51-57页 |
| 4.2.1 阴极面积对于电子束发散性的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.2 栅极厚度对电子束发散性的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.3 圆形阴极中和器结构栅极最佳开口率研究 | 第56-57页 |
| 4.3 最佳中和器结构参数 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 中和器场发射测试结果与讨论 | 第60-70页 |
| 5.1 单发射体结构制备与测试 | 第60-66页 |
| 5.1.1 栅网支架的设计 | 第60-61页 |
| 5.1.2 栅网的焊接 | 第61-62页 |
| 5.1.3 中和器单发射体结构场发射测试 | 第62-66页 |
| 5.2 中和器结构装配与测试 | 第66-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结和展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |