| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 符号清单 | 第8-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-30页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第11-13页 |
| ·传感器 | 第13-19页 |
| ·传感器简介 | 第13-17页 |
| ·半导体金属氧化物气敏机理 | 第17-19页 |
| ·集成电路技术简介 | 第19-21页 |
| ·氧化锌 | 第21-29页 |
| ·氧化锌结构及性质 | 第21-22页 |
| ·氧化锌的各种纳米形貌 | 第22-25页 |
| ·氧化锌纳米材料的应用 | 第25-27页 |
| ·氧化锌纳米线的制备方法 | 第27-28页 |
| ·液相生长机理 | 第28-29页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 50nm氧化锌纳米线阵列的合成及其气敏性能研究 | 第30-48页 |
| ·前言 | 第30页 |
| ·实验部分 | 第30-33页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第30-31页 |
| ·50nm ZnO纳米线制备 | 第31-32页 |
| ·材料表征 | 第32页 |
| ·旁热式传感器芯片制造工艺 | 第32-33页 |
| ·气敏性能测试 | 第33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-46页 |
| ·芯片结构 | 第33-34页 |
| ·材料形貌与结构 | 第34-36页 |
| ·气敏性能研究 | 第36-39页 |
| ·气敏机理研究 | 第39-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 20nm氧化锌纳米线阵列的合成及其气敏性能研究 | 第48-61页 |
| ·前言 | 第48页 |
| ·实验部分 | 第48-51页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第48-49页 |
| ·20nm ZnO纳米线制备 | 第49-50页 |
| ·底热式传感器芯片制造工艺 | 第50页 |
| ·气敏性能测试 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-59页 |
| ·芯片结构 | 第51-53页 |
| ·材料形貌与结构 | 第53-54页 |
| ·气敏性能研究 | 第54-57页 |
| ·气敏机理研究 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 ZnO-ZnS异质结纳米线阵列的合成及其气敏性能研究 | 第61-66页 |
| ·前言 | 第61页 |
| ·实验部分 | 第61-63页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第61-62页 |
| ·ZnO-ZnS异质结纳米线制备 | 第62页 |
| ·器件制造工艺 | 第62页 |
| ·气敏性能测试 | 第62-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-68页 |
| 主要创新点 | 第66页 |
| 不足与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第75页 |
