| 中文摘要 | 第1-12页 |
| Abstract | 第12-17页 |
| 符号说明 | 第17-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·半导体光催化的基本原理 | 第19-20页 |
| ·本征缺陷和掺杂对材料光催化性能的影响 | 第20-24页 |
| ·拓展光吸收范围 | 第20-22页 |
| ·促进载流子分离和迁移 | 第22-23页 |
| ·光催化反应的活性位点 | 第23-24页 |
| ·本论文的研究内容和结论 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 第一性原理计算的理论基础 | 第28-40页 |
| ·薛定谔方程 | 第28-29页 |
| ·第一性原理计算的近似处理 | 第29-32页 |
| ·非相对论近似 | 第29-30页 |
| ·Born-Oppenheimer近似 | 第30页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第30-32页 |
| ·密度泛函理论 | 第32-35页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第32-33页 |
| ·Hobenberg-Kohn定理 | 第33-34页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第34-35页 |
| ·交换关联能近似 | 第35-38页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第35-36页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第36-37页 |
| ·LDA+U和GGA+U | 第37页 |
| ·杂化密度泛函 | 第37-38页 |
| ·第一性原理计算软件包的介绍 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 本征缺陷引起的铋基材料近红外光催化性质 | 第40-54页 |
| ·研究背景 | 第40-41页 |
| ·计算方法 | 第41-42页 |
| ·结果和讨论 | 第42-52页 |
| ·元素化学势 | 第42-45页 |
| ·含不同本征缺陷Bi_2W(Mo)O_6的电子结构 | 第45-48页 |
| ·氧空位缺陷对Bi_2W(Mo)O_6近红外光催化性质的影响 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第四章 超薄BiOCl纳米片光催化性质的理论研究 | 第54-68页 |
| ·研究背景 | 第54-55页 |
| ·计算方法 | 第55-56页 |
| ·结果和讨论 | 第56-65页 |
| ·元素化学势 | 第56-57页 |
| ·表面能和劈裂能 | 第57-60页 |
| ·缺陷形成能 | 第60-61页 |
| ·Bi空位对BiOCl纳米片光催化性质的影响 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 本征缺陷和掺杂对Ta_3N_5光催化性质的影响 | 第68-82页 |
| ·研究背景 | 第68-69页 |
| ·计算方法 | 第69-70页 |
| ·结果和讨论 | 第70-79页 |
| ·元素化学势 | 第70-71页 |
| ·缺陷形成能和热力学跃迁能级 | 第71-76页 |
| ·本征缺陷引起的亚带隙光吸收 | 第76-77页 |
| ·碱金属掺杂的Ta_3N_5 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第六章 Ag_2ZnSn(S_(1-x)Se_x)_4的电子结构和光催化性质 | 第82-98页 |
| ·研究背景 | 第82-83页 |
| ·计算方法 | 第83-84页 |
| ·结果和讨论 | 第84-95页 |
| ·Ag_2ZnSnS(Se)_4的电子结构 | 第84-86页 |
| ·载流子有效质量 | 第86-88页 |
| ·Se浓度对不同结构Ag_2ZnSn(S_(1-x)Se_x)_4光催化性质的调控 | 第88-95页 |
| ·本章小结 | 第95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第七章 总结与展望 | 第98-100页 |
| ·主要的结论和创新点 | 第98-99页 |
| ·展望 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及参与的项目等 | 第102-105页 |
| 1 发表论文目录 | 第102-103页 |
| 2 参加的会议 | 第103页 |
| 3 参与的科研课题 | 第103-105页 |
| 附录：攻读博士期间所发表的英文论文(原文) | 第105-124页 |
| 附件 | 第124页 |
