摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-11页 |
第1章 绪论 | 第11-28页 |
·磁性基本理论 | 第11-14页 |
·磁性起源 | 第11-12页 |
·材料磁性的分类和微观机理 | 第12-14页 |
·分子基磁性材料简介 | 第14-18页 |
·分子基磁性材料基本概况 | 第14-15页 |
·分子基磁性材料的研究现状 | 第15-18页 |
·非平衡态相变研究进展 | 第18-26页 |
·非平衡态相变理论 | 第18-19页 |
·伊辛模型非平衡态相变的相关研究成果 | 第19-26页 |
·选题背景及内容 | 第26-28页 |
·选题背景 | 第26-27页 |
·本文研究内容 | 第27-28页 |
第2章 S=1磁性薄膜在非平衡态下的相图 | 第28-47页 |
·模型哈密顿量 | 第28页 |
·GLAUBER动力学 | 第28-30页 |
·相关有效场理论应用 | 第30-31页 |
·微分算符技术 | 第30页 |
·退耦近似 | 第30-31页 |
·动力学方程 | 第31-35页 |
·结果与讨论 | 第35-45页 |
·正方晶格结构磁性薄膜的相变 | 第35-38页 |
·蜂窝状晶格结构磁性薄膜的相变 | 第38-41页 |
·与平均场结果和蒙特卡罗模拟结果的比较 | 第41-45页 |
·本章小结 | 第45-47页 |
第3章 S=3/2磁性薄膜在交变外场下的相图 | 第47-59页 |
·模型哈密顿量 | 第47页 |
·GLAUBER动力学 | 第47-48页 |
·相关有效场理论应用 | 第48-50页 |
·结果与讨论 | 第50-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第4章 AV~ⅡV~Ⅲ(C_2O_4)_3层状分子基磁体补偿行为和磁有序温度的研究 | 第59-71页 |
·系统哈密顿量 | 第60页 |
·相关有效场理论应用 | 第60-64页 |
·结果与讨论 | 第64-69页 |
·相变温度及补偿温度 | 第64-68页 |
·与平均场结果的比较 | 第68-69页 |
·本章小结 | 第69-71页 |
第5章 AFe~ⅡFe~Ⅲ(C_2O_4)_3层状分子基磁体补偿行为和相变温度的研究 | 第71-82页 |
·系统哈密顿量 | 第71-72页 |
·相关有效场理论应用 | 第72-73页 |
·结果与讨论 | 第73-80页 |
·相图及补偿温度 | 第73-79页 |
·与平均场结果的比较 | 第79-80页 |
·本章小结 | 第80-82页 |
第6章 结论 | 第82-84页 |
参考文献 | 第84-97页 |
致谢 | 第97-98页 |
攻读博士期间发表的论文 | 第98-99页 |
作者简介 | 第99页 |