| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·HgCdTe材料的介绍 | 第9-12页 |
| ·HgCdTe材料的结构与性质 | 第10-12页 |
| ·HgCdTe材料的研究现状与应用 | 第12页 |
| ·石墨烯材料的介绍 | 第12-16页 |
| ·石墨烯的结构 | 第12-14页 |
| ·石墨烯的特性 | 第14页 |
| ·石墨烯复合材料的发展 | 第14-16页 |
| ·本论文的内容及安排 | 第16-18页 |
| 第二章 薄膜材料的制备技术 | 第18-24页 |
| ·HgCdTe薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| ·液相外延（LPE）方法 | 第18-19页 |
| ·金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法 | 第19页 |
| ·分子束外延（MBE）方法 | 第19-20页 |
| ·激光分子数外延（LMBE）方法 | 第20-21页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第21-22页 |
| ·微机械剥离法 | 第21页 |
| ·外延生长法 | 第21-22页 |
| ·氧化还原法 | 第22页 |
| ·石墨烯的转移方法 | 第22-24页 |
| ·干法转移 | 第22-23页 |
| ·热剥离胶带转移法 | 第23页 |
| ·湿法转移 | 第23-24页 |
| 第三章 样品的制备与测试分析 | 第24-33页 |
| ·复合薄膜样品的制备 | 第24-28页 |
| ·石墨烯的制备 | 第24-25页 |
| ·石墨烯的转移 | 第25-27页 |
| ·HgCdTe薄膜的制备 | 第27-28页 |
| ·薄膜分析测试技术 | 第28-33页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）和附带的能量散射X射线谱（EDS） | 第28-29页 |
| ·X射线衍射（XRD） | 第29-30页 |
| ·红外光谱仪测试技术 | 第30-31页 |
| ·霍尔测试技术 | 第31-33页 |
| 第四章 石墨烯层对HgCdTe复合薄膜材料的影响 | 第33-41页 |
| ·样品的制备 | 第33页 |
| ·实验结果分析 | 第33-40页 |
| ·XRD结果分析 | 第33-35页 |
| ·表面及截面形貌分析 | 第35-36页 |
| ·薄膜成分分析 | 第36-37页 |
| ·红外透射光谱分析 | 第37-38页 |
| ·霍尔效应结果分析 | 第38-39页 |
| ·I-V曲线结果分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 石墨烯对HgCdTe金属基薄膜材料的影响 | 第41-46页 |
| ·样品的制备 | 第41-42页 |
| ·实验结果分析 | 第42-45页 |
| ·XRD结果分析 | 第42-43页 |
| ·表面形貌和横截面分析 | 第43-44页 |
| ·薄膜成分分析 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 结论 | 第46-47页 |
| ·本论文的主要研究成果 | 第46页 |
| ·对今后研究工作的建议 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-55页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |