| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-10页 |
| 目录 | 第10-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-38页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·CZT 晶体的基本物理性质 | 第14-15页 |
| ·CZT 核辐射探测器 | 第15-18页 |
| ·与其它核辐射探测器相比较 | 第15-17页 |
| ·CdTe 和 CZT 探测器的比较 | 第17-18页 |
| ·室温核辐射探测器对 CZT 晶体的要求 | 第18页 |
| ·CZT 晶体的结构特性 | 第18-25页 |
| ·CZT 晶体中的微结构缺陷 | 第18-19页 |
| ·体缺陷 | 第19-22页 |
| ·面缺陷 | 第22-23页 |
| ·线缺陷 | 第23页 |
| ·点缺陷 | 第23-25页 |
| ·CZT 晶体的光电性能和探测特性 | 第25-27页 |
| ·光电性能 | 第25-26页 |
| ·探测特性 | 第26-27页 |
| ·CZT 晶体的退火处理 | 第27-34页 |
| ·CZT 晶体的制备方法 | 第28页 |
| ·去除夹杂相的退火 | 第28-29页 |
| ·提高探测性能的退火 | 第29-31页 |
| ·化学扩散 | 第31-32页 |
| ·退火过程中晶体中的点缺陷平衡 | 第32-34页 |
| ·化合物半导体的高阻机制 | 第34-35页 |
| ·本文的研究思路和内容 | 第35-38页 |
| 第2章 实验方法 | 第38-44页 |
| ·实验过程 | 第38页 |
| ·晶片选择与处理 | 第38页 |
| ·退火装置与退火实验 | 第38页 |
| ·主要测试和表征方法 | 第38-44页 |
| ·晶体中夹杂相分析 | 第38-39页 |
| ·位错表征 | 第39-40页 |
| ·沉淀相的 TEM 表征 | 第40-41页 |
| ·低温阴极发光表征 | 第41页 |
| ·低温光致发光表征 | 第41-42页 |
| ·光学性能表征 | 第42-43页 |
| ·电学性能表征 | 第43页 |
| ·探测性能表征 | 第43-44页 |
| 第3章 CZT 晶体中夹杂相 | 第44-64页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·Te 夹杂相的 SEM 形貌观察及成分 | 第44-51页 |
| ·Te 夹杂相的形貌 | 第44-49页 |
| ·Te 夹杂相的成分分析 | 第49-51页 |
| ·Te 夹杂相的形貌演变规律 | 第51-57页 |
| ·Te 夹杂相的形成机制及热力学分析 | 第51-53页 |
| ·形貌演变规律 | 第53-57页 |
| ·熔体化学计量比对夹杂相的影响 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 第4章 CZT 晶体中的 Te 夹杂相诱导位错研究 | 第64-88页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·Te 夹杂相诱导缺陷的 SEM 分析 | 第64-68页 |
| ·诱导位错的腐蚀观察 | 第64-66页 |
| ·诱导位错式样 | 第66-68页 |
| ·诱导缺陷的原位 TEM 观察 | 第68-74页 |
| ·以位错为主导的诱导缺陷间的交互作用 | 第74-83页 |
| ·诱导缺陷的 SEM-CL 分析 | 第74-77页 |
| ·缺陷间的交互作用规律 | 第77-80页 |
| ·夹杂相周围可能富集的杂质对 SEM-CL 的影响 | 第80-83页 |
| ·晶体生长条件对 Te 夹杂相诱导缺陷的影响 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-88页 |
| 第5章 CZT 晶体中 Te 夹杂相的消除 | 第88-118页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·液滴的热迁移机制 | 第88-90页 |
| ·退火实验设计原理 | 第90-98页 |
| ·Cd/Zn 气氛下梯度退火 | 第92-93页 |
| ·Te 气氛下梯度退火 | 第93-97页 |
| ·退火实验参数 | 第97-98页 |
| ·Te 夹杂相的热迁移行为 | 第98-107页 |
| ·Te 夹杂相的去除效率 | 第98-102页 |
| ·尺寸效应对迁移行为的影响 | 第102-104页 |
| ·孔洞效应对迁移行为的影响 | 第104-107页 |
| ·不同气氛梯度退火后晶体的光电性能变化 | 第107-109页 |
| ·Cd/Zn 气氛下梯度退火 | 第107-108页 |
| ·Te 气氛下梯度退火 | 第108-109页 |
| ·退火对晶体中其它微结构缺陷的影响 | 第109-116页 |
| ·位错组态 | 第109-113页 |
| ·沉淀相 | 第113-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 第6章 CZT 晶体的 Te 气氛退火研究 | 第118-142页 |
| ·引言 | 第118页 |
| ·针对经 Cd/Zn 气氛退火后的低阻晶体 | 第118-122页 |
| ·近红外光谱和 PL 谱表征 | 第118-121页 |
| ·探测性能表征 | 第121-122页 |
| ·针对生长态中高阻晶体 | 第122-125页 |
| ·针对生长态低阻晶体 | 第125-133页 |
| ·所用晶体的基本性能 | 第125页 |
| ·退火实验参数 | 第125-126页 |
| ·Te 气氛下退火对晶体性能的影响 | 第126-133页 |
| ·混合气氛下退火对晶体物理性能的影响 | 第133-138页 |
| ·所用退火装置和退火参数 | 第133-134页 |
| ·混合气氛下退火对晶体光电及探测性能的影响 | 第134-138页 |
| ·大体积晶体的退火研究 | 第138-139页 |
| ·本章小结 | 第139-142页 |
| 第7章 Cd 和 Te 气氛退火机制 | 第142-168页 |
| ·引言 | 第142页 |
| ·CdTe 和 CZT 晶体的高阻机制讨论 | 第142-145页 |
| ·Cd 气氛下退火 | 第145-151页 |
| ·富 Cd 侧的点缺陷平衡 | 第145页 |
| ·点缺陷的化学扩散 | 第145-146页 |
| ·结合 Cd 饱和气氛下退火分析 | 第146-151页 |
| ·Te 气氛下退火 | 第151-156页 |
| ·富 Te 侧的点缺陷平衡 | 第151页 |
| ·点缺陷的化学扩散及结合 Te 饱和气氛下退火分析 | 第151-156页 |
| ·结合退火机制对晶体的红外透过率和 PL 的分析 | 第156-166页 |
| ·退火对晶体的红外透过率的影响 | 第156-159页 |
| ·退火对晶体的 PL 光谱的影响 | 第159-166页 |
| ·本章小结 | 第166-168页 |
| 本文主要结论 | 第168-170页 |
| 参考文献 | 第170-184页 |
| 攻读博士学位期间撰写的论文和申请专利 | 第184-186页 |
| 致谢 | 第186-187页 |
