| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-19页 |
| ·空间辐射环境 | 第12-13页 |
| ·空间温度环境 | 第13-14页 |
| ·空间真空环境 | 第14-15页 |
| ·空间单粒子效应 | 第15-16页 |
| ·单粒子效应的研究现状与选题背景 | 第16-17页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 SRAM 器件单粒子效应发生的物理机制 | 第19-25页 |
| ·SRAM 器件单粒子翻转发生的物理机制 | 第19-20页 |
| ·SRAM 器件单粒子锁定发生的物理机制 | 第20-21页 |
| ·单粒子效应产生机制的粒子依赖性 | 第21-25页 |
| ·直接电离作用引起的单粒子效应 | 第21-22页 |
| ·核反应次级粒子引起的单粒子效应 | 第22-25页 |
| 第三章 实验设计 | 第25-31页 |
| ·单粒子效应重离子加速器实验装置简介 | 第25-27页 |
| ·单粒子翻转的重离子测试方法与数据处理 | 第27-28页 |
| ·单粒子翻转的重离子测试方法 | 第27页 |
| ·单粒子翻转的数据处理 | 第27-28页 |
| ·单粒子翻转的温度测试 | 第28-30页 |
| ·单粒子翻转温度实验装置 | 第28-29页 |
| ·单粒子翻转温度实验流程简介 | 第29-30页 |
| ·单粒子锁定的重离子测试方法 | 第30-31页 |
| 第四章 重离子引起 SRAM 器件单粒子翻转的温度实验 | 第31-39页 |
| ·商用体硅 SRAM 器件单粒子翻转的温度实验 | 第31-32页 |
| ·SOI SRAM 器件单粒子翻转的温度实验 | 第32-36页 |
| ·~209Bi 离子的温度实验 | 第33-34页 |
| ·~12C 离子的温度实验 | 第34页 |
| ·0.5 μm PD SOI SRAM 计算机模拟分析 | 第34-36页 |
| ·温度对单粒子翻转重离子测试的影响及实验结果分析 | 第36-39页 |
| ·单粒子翻转重离子测试的温度依赖性 | 第36-38页 |
| ·单粒子翻转重离子温度实验数据分析 | 第38-39页 |
| 第五章 重离子引起 SRAM 器件单粒子锁定电流峰值的依赖性研究 | 第39-43页 |
| ·实验简介 | 第39页 |
| ·实验结论 | 第39-43页 |
| ·单粒子锁定电流峰值与粒子入射方向的依赖关系 | 第39-40页 |
| ·单粒子锁定电流峰值对器件电压的依赖关系 | 第40-41页 |
| ·单粒子锁定电流峰值对器件存储数据图形的依赖关系 | 第41-43页 |
| 第六章 重离子核反应对 SRAM 器件单粒子翻转截面的影响 | 第43-48页 |
| ·计算机模拟简介 | 第43-44页 |
| ·计算模拟过程与结论分析 | 第44-48页 |
| ·重离子核反应对模拟结果的影响 | 第44-45页 |
| ·重离子核反应引起单粒子翻转截面与粒子能量、种类的依赖关系 | 第45-48页 |
| 第七章 结论与展望 | 第48-51页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| ·展望 | 第49-51页 |
| ·实验设备的改进 | 第49页 |
| ·下一步的研究方向 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 附录 | 第56-57页 |
| 作者简介及发表论文 | 第57-58页 |
