| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·拉曼光谱简介 | 第11-14页 |
| ·表面增强拉曼光谱介绍 | 第14-21页 |
| ·表面增强拉曼光谱技术的发展历史 | 第14-15页 |
| ·表面增强拉曼光谱技术面临的挑战与机遇 | 第15-17页 |
| ·表面增强拉曼光谱机理介绍 | 第17-19页 |
| ·表面增强拉曼光谱基底介绍 | 第19-21页 |
| ·无酶葡萄糖传感器的发展现状 | 第21-23页 |
| ·本论文的研究内容与意义 | 第23-25页 |
| 第二章 电沉积技术制备金纳米阵列及其在表面增强拉曼光谱中的应用 | 第25-67页 |
| ·引言 | 第25-28页 |
| ·实验部分 | 第28-30页 |
| ·所用仪器及实验参数 | 第28-29页 |
| ·所用试剂 | 第29页 |
| ·基于电沉积技术制备金纳米阵列 | 第29-30页 |
| ·金纳米阵列表面增强拉曼活性的表征 | 第30页 |
| ·吸附于基底表面的 p-MBA 以及 p-ATP 探针分子的 DFT 计算 | 第30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-65页 |
| ·金纳米阵列的电化学沉积机理讨论 | 第30-36页 |
| ·金纳米阵列的沉积条件的选择与其 SEM 表征 | 第36-43页 |
| ·金纳米阵列的 XRD 表征 | 第43-44页 |
| ·金纳米阵列的电化学表征 | 第44-50页 |
| ·金纳米阵列的光学性能研究 | 第50-52页 |
| ·金纳米阵列的 SERS 活性研究 | 第52-57页 |
| ·p-MBA 探针分子以及 p-MBA/Au 复合结构的 DFT 计算及谱峰归属 | 第57-60页 |
| ·p-ATP 探针分子以及 p-ATP/Au 复合结构的 DFT 计算及谱峰归属 | 第60-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第三章 基于类 Au(111)纳米阵列修饰 ITO 电极的无酶葡萄糖传感器研究 | 第67-94页 |
| ·引言 | 第67-69页 |
| ·实验部分 | 第69-71页 |
| ·所用仪器及实验参数 | 第69-70页 |
| ·所用试剂 | 第70页 |
| ·类 Au(111)纳米阵列修饰 ITO 电极的电化学制备 | 第70-71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-93页 |
| ·类 Au(111)纳米阵列修饰 ITO 电极的电化学行为研究 | 第71-73页 |
| ·类 Au(111)纳米阵列修饰 ITO 电极的 XRD, SEM 和 EDX 表征讨论 | 第73-76页 |
| ·类 Au(111)纳米阵列修饰 ITO 电极上葡萄糖电化学氧化行为的研究 | 第76-83页 |
| ·利用伏安法检测葡萄糖 | 第83-87页 |
| ·利用计时电流法对检测葡萄糖 | 第87-92页 |
| ·电极稳定性及重现性研究 | 第92-93页 |
| ·小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-113页 |
| 代表性学术成果 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
