| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| Contents | 第13-16页 |
| 第1章 绪论 | 第16-30页 |
| ·论文研究的背景与意义 | 第16-22页 |
| ·国际国内忆阻器研究现状 | 第22-28页 |
| ·研究内容与论文结构安排 | 第28-30页 |
| 第2章 忆阻器工作原理与存储技术研究 | 第30-45页 |
| ·忆阻器理论模型的提出 | 第30-32页 |
| ·惠普忆阻器工作机理与模型分析 | 第32-39页 |
| ·惠普忆阻器导电机理 | 第33-36页 |
| ·惠普忆阻器模型分析 | 第36-39页 |
| ·忆阻器存储与操作研究 | 第39-44页 |
| ·忆阻器的存储结构 | 第39-42页 |
| ·忆阻器的读写机理 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第3章 忆阻器建模仿真 | 第45-54页 |
| ·忆阻器建模原理 | 第45-47页 |
| ·忆阻器状态开关过程分析与实验结果 | 第47-48页 |
| ·忆阻器仿真分析 | 第48-53页 |
| ·忆阻器 HSPICE 仿真 | 第48-50页 |
| ·忆阻器 Matlab 仿真 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 铂纳米线与 TiO_2纳米膜的制备及表征研究 | 第54-82页 |
| ·一维纳米线的制备 | 第54-58页 |
| ·纳米线制备方法简介 | 第54-55页 |
| ·模板法制备纳米线 | 第55-58页 |
| ·电化学沉积法制备铂纳米线 | 第58-67页 |
| ·AAO 模板的制备 | 第59-61页 |
| ·蒸镀铂电极 | 第61-63页 |
| ·制备用于电化学沉积的铂电极 | 第63页 |
| ·电化学沉积铂纳米线 | 第63-65页 |
| ·铂纳米线 SEM 表征分析 | 第65-67页 |
| ·铂纳米线 TEM 表征分析 | 第67页 |
| ·TiO2纳米薄膜制备方法 | 第67-77页 |
| ·溶胶凝胶法(sol-gel) | 第68-69页 |
| ·化学气相沉积方法 | 第69页 |
| ·制备 TiO_2薄膜的物理方法工艺原理 | 第69-77页 |
| ·磁控溅射方法制备 TiO2薄膜 | 第77-79页 |
| ·TiO_2薄膜的 SEM 表征分析 | 第77-78页 |
| ·TiO_2薄膜的能谱分析 | 第78-79页 |
| ·磁控溅射方法制备缺氧 TiO_(2-x)膜与富氧 TiO_(2+x)膜 | 第79-80页 |
| ·制备缺氧 TiO_(2-x)膜 | 第79-80页 |
| ·制备富氧 TiO_(2+x)膜 | 第80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第5章 双扩展忆阻器的工作原理与制备工艺 | 第82-94页 |
| ·双扩展忆阻器的结构模型与基本原理 | 第82-87页 |
| ·双扩展忆阻器的结构模型 | 第82-83页 |
| ·双扩展忆阻器的工作原理 | 第83-87页 |
| ·双扩展忆阻器制备工艺与结果分析 | 第87-93页 |
| ·双扩展忆阻器制备工艺流程 | 第87-90页 |
| ·双扩展忆阻器实物样品与表征分析 | 第90-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第6章 双扩展忆阻器特性分析与对比实验 | 第94-109页 |
| ·铂纳米线特性分析 | 第94-95页 |
| ·双扩展忆阻器特性测试结果与分析 | 第95-102页 |
| ·双扩展忆阻器对比实验与结果分析 | 第102-104页 |
| ·双扩展忆阻器的存储器电路原理图 | 第104-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 结论 | 第109-111页 |
| 主要创新点 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第125-126页 |