1550nm半导体激光雷达成像探测器的研制
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| ·研究背景和意义 | 第7-11页 |
| ·研究的背景 | 第7页 |
| ·成像激光雷达介绍 | 第7-8页 |
| ·激光雷达探测原理 | 第8-10页 |
| ·MSM探测器 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状及分析 | 第11-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 MSM基本原理和结构设计 | 第13-25页 |
| ·器件工作原理 | 第13页 |
| ·MSM器件能带结构 | 第13-18页 |
| ·器件电流-电压特性 | 第18-19页 |
| ·MSM探测器电容-电压特性 | 第19-20页 |
| ·MSM结构探测器主要的参数 | 第20-22页 |
| ·MSM探测器瞬态特性分析 | 第22-24页 |
| ·高频分布参量分析 | 第22-23页 |
| ·MSM的高频等效电路模型 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 器件制作的相关工艺 | 第25-35页 |
| ·生长工艺介绍 | 第25-28页 |
| ·MOCVD原理 | 第26-27页 |
| ·MOCVD设备介绍 | 第27-28页 |
| ·光刻工艺介绍 | 第28-31页 |
| ·接近式和接触式光刻 | 第29-30页 |
| ·投影式光刻 | 第30-31页 |
| ·光刻胶技术 | 第31-32页 |
| ·刻蚀技术简介 | 第32-35页 |
| 第四章 器件的制作和封装 | 第35-44页 |
| ·MSM材料选取 | 第35-37页 |
| ·典型红外材料介绍 | 第35-36页 |
| ·InGaAs材料特性 | 第36-37页 |
| ·MSM结构设计 | 第37-39页 |
| ·器件制作工艺流程 | 第39-42页 |
| ·光刻工艺流程 | 第39-40页 |
| ·磁控溅射SiN薄膜 | 第40-42页 |
| ·金丝键合 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 芯片的性能测试 | 第44-52页 |
| ·探针测试 | 第44页 |
| ·光生电流测试 | 第44-46页 |
| ·脉冲响应时间测试 | 第46页 |
| ·混频实验 | 第46-49页 |
| ·管壳测试 | 第46-47页 |
| ·不同的调制频率下混频测试 | 第47-49页 |
| ·测距成像成验 | 第49-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-54页 |
| ·全文总结 | 第52页 |
| ·下一步工作设想 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 硕士期间发表论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
