| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·概述 | 第11页 |
| ·GaN材料的特性与应用 | 第11-14页 |
| ·物理特性与应用 | 第11-13页 |
| ·化学特性与应用 | 第13页 |
| ·光学特性与应用 | 第13页 |
| ·电学特性与应用 | 第13-14页 |
| ·GaN材料的化学气相沉积(CVD)制备技术 | 第14页 |
| ·不同催化剂催化制备的GaN材料研究现状 | 第14-20页 |
| ·金属催化剂及其催化作用 | 第14-15页 |
| ·催化剂催化GaN的机理 | 第15-16页 |
| ·制备GaN材料的形貌 | 第16-18页 |
| ·制备GaN材料的性能 | 第18-20页 |
| ·材料几何形状尺寸对其性能的影响 | 第20页 |
| ·本课题研究意义及主要内容 | 第20-23页 |
| 第二章 试样制备及表征 | 第23-27页 |
| ·试样制备 | 第23-25页 |
| ·实验原料 | 第23页 |
| ·实验设备 | 第23-24页 |
| ·实验步骤 | 第24-25页 |
| ·试样表征 | 第25-27页 |
| 第三章 以Ag纳米颗粒作催化剂制备的GaN | 第27-43页 |
| ·催化剂Ag纳米颗粒的制备 | 第27-28页 |
| ·反应温度对GaN的影响 | 第28-33页 |
| ·GaN梯子形结构SEM分析 | 第28-30页 |
| ·GaN梯子形结构XRD分析 | 第30-31页 |
| ·GaN梯子形结构PL分析 | 第31-32页 |
| ·GaN梯子形结构霍尔分析 | 第32-33页 |
| ·反应时间对GaN的影响 | 第33-35页 |
| ·样品SEM分析 | 第33-34页 |
| ·样品XRD分析 | 第34页 |
| ·样品PL分析 | 第34-35页 |
| ·GaN微纳米梯子形结构TEM分析 | 第35-36页 |
| ·GaN微纳米梯子形结构的形成机理 | 第36-37页 |
| ·氨气流量对GaN的影响 | 第37-41页 |
| ·样品SEM分析 | 第38-39页 |
| ·样品的XRD分析 | 第39-40页 |
| ·样品PL分析 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第四章 以InCl_3作催化剂制备的GaN | 第43-53页 |
| ·样品的制备 | 第43-44页 |
| ·反应温度对产物的影响 | 第44-48页 |
| ·样品SEM分析 | 第44-45页 |
| ·样品的EDS分析 | 第45页 |
| ·样品XRD分析 | 第45-46页 |
| ·样品PL分析 | 第46-47页 |
| ·样品霍尔分析 | 第47-48页 |
| ·反应时间对产物的影响 | 第48-50页 |
| ·GaN微米球状团簇结构SEM分析 | 第48页 |
| ·GaN微米球状团簇结构XRD分析 | 第48-49页 |
| ·GaN微米球状团簇结构PL分析 | 第49-50页 |
| ·GaN微米球状团簇结构的形成机理 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第五章 以Cu(NO_3)_2做催化剂制备的GaN | 第53-61页 |
| ·反应时间对产物的影响 | 第53-57页 |
| ·样品SEM分析 | 第53-55页 |
| ·样品XRD分析 | 第55-56页 |
| ·样品PL分析 | 第56-57页 |
| ·反应温度对产物的影响 | 第57-58页 |
| ·样品SEM分析 | 第57页 |
| ·样品XRD分析 | 第57-58页 |
| ·GaN纳米蠕虫状结构的形成机理 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第六章 以贵金属单质做催化剂得到的GaN的形貌 | 第61-67页 |
| ·单质贵金属做催化剂 | 第61-63页 |
| ·样品的制备 | 第61-62页 |
| ·样品的SEM分析 | 第62页 |
| ·样品的XRD分析 | 第62-63页 |
| ·单质贵金属加B_2O_3做催化剂 | 第63-65页 |
| ·样品的制备 | 第63-64页 |
| ·样品的SEM分析 | 第64-65页 |
| ·样品的XRD分析 | 第65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第七章 结论及展望 | 第67-71页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| ·展望 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79页 |