| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·高压 LED 的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·高压 LED 概述 | 第11-16页 |
| ·直流高压 LED | 第11-14页 |
| ·交流高压 LED | 第14-16页 |
| ·高压 LED 芯片的研究现状 | 第16-21页 |
| ·国内外研究现状 | 第16-17页 |
| ·提高 LED 芯片发光效率的主要技术 | 第17-21页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 高压 LED 芯片制备的工艺技术 | 第22-39页 |
| ·直流高压 LED 芯片的制备流程图 | 第22-24页 |
| ·五步光刻法对应的芯片侧视示意图 | 第22-24页 |
| ·外延片的清洗工艺 | 第24-28页 |
| ·酸类溶液的清洗工艺 | 第24-25页 |
| ·有机溶液清洗工艺 | 第25页 |
| ·QDR 清洗工艺 | 第25-26页 |
| ·Plasma 清洗工艺 | 第26页 |
| ·各步工艺的清洗流程 | 第26-28页 |
| ·光刻工艺 | 第28-34页 |
| ·光刻工艺的基本原理和流程 | 第28-30页 |
| ·芯片制程中使用的具体光刻工艺 | 第30-34页 |
| ·薄膜沉积 | 第34-36页 |
| ·PECVD 沉积薄膜的原理 | 第34-35页 |
| ·PECVD 参数对 SiO2薄膜沉积的影响 | 第35-36页 |
| ·刻蚀工艺 | 第36-38页 |
| ·湿法刻蚀 | 第36-37页 |
| ·干法刻蚀 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 高压 LED 芯片梯形隔离槽结构设计与实现 | 第39-49页 |
| ·设计原理以及设计方法 | 第39-40页 |
| ·实验设计的原理 | 第39页 |
| ·实验设计的方法 | 第39-40页 |
| ·实验及数据分析 | 第40-43页 |
| ·实验的改进方案 | 第43-48页 |
| ·实验改进方案的具体实施 | 第43-44页 |
| ·光刻胶边缘成型角度的实验结果与分析 | 第44-47页 |
| ·改进方案的实验结果分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 侧面波浪形微结构高压 LED 芯片的制备 | 第49-54页 |
| ·实验的设计原理 | 第49页 |
| ·高压 LED 芯片的制备 | 第49-51页 |
| ·芯片光电测试结果及数据分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 总结与展望 | 第54-56页 |
| 课题总结 | 第54-55页 |
| 工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 附件 | 第62页 |