利用镍纳米岛掩膜制备氮化镓纳米柱的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| ·半导体材料的发展现状与趋势 | 第10-11页 |
| ·GaN材料的基本特性 | 第11-15页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第11-13页 |
| ·GaN的物理性质 | 第13页 |
| ·GaN的化学性质 | 第13页 |
| ·GaN的光学性质 | 第13页 |
| ·GaN的电学性质 | 第13-14页 |
| ·GaN的能带结构 | 第14-15页 |
| ·GaN材料的制备方法 | 第15-18页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第15-16页 |
| ·金属有机化学气相外延(MOCVD)技术 | 第16页 |
| ·原子束外延(ALE)技术 | 第16-17页 |
| ·氨热法 | 第17页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE)技术 | 第17-18页 |
| ·GaN纳米结构的研究背景 | 第18页 |
| ·GaN纳米结构的制备方法 | 第18-19页 |
| ·模板限制反应生长法 | 第18页 |
| ·气-液-固(VLS)机制的催化反应生长法 | 第18-19页 |
| ·氧化辅助生长法 | 第19页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-25页 |
| 第二章 GaN材料的结构特征和位错密度 | 第25-35页 |
| ·GaN材料的表征 | 第25-29页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| ·Raman散射光谱 | 第27-28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
| ·湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第三章 镍纳米岛掩膜制备GaN纳米柱 | 第35-46页 |
| ·GaN纳米柱的制备 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-42页 |
| ·高温氨气退火对Ni岛直径的调节 | 第36-38页 |
| ·ICP刻蚀GaN纳米柱 | 第38-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第四章 结论与展望 | 第46-48页 |
| ·主要结论 | 第46-47页 |
| ·研究展望 | 第47-48页 |
| 发表论文目录 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
