| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·SiC材料本征缺陷的研究现状 | 第8-9页 |
| ·本文的主要工作 | 第9-11页 |
| 第二章 本征缺陷的测试原理及方法 | 第11-21页 |
| ·半导体材料的本征缺陷 | 第11-13页 |
| ·半导体材料中的缺陷简介 | 第11-13页 |
| ·半导体材料中的缺陷能级 | 第13页 |
| ·ESR测试基本理论 | 第13-19页 |
| ·ESR（电子顺磁共振）简介 | 第14页 |
| ·ESR（电子顺磁共振）基本原理 | 第14-19页 |
| ·离子注入技术 | 第19-20页 |
| ·离子注入技术简介 | 第19页 |
| ·离子注入的主要特点 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 样品的制备和离子注入工艺 | 第21-35页 |
| ·实验材料的准备 | 第21-23页 |
| ·主要工艺流程 | 第21-22页 |
| ·实验用4H-SiC材料的制备 | 第22-23页 |
| ·离子注入工艺及参数设计 | 第23-28页 |
| ·离子注入的特性 | 第24页 |
| ·Si~+、C~+离子注入分布模拟 | 第24-28页 |
| ·离子注入实验 | 第28-29页 |
| ·实验材料 | 第28页 |
| ·注入能量和剂量设计 | 第28-29页 |
| ·退火工艺 | 第29-34页 |
| ·样品的退火处理 | 第29-31页 |
| ·样品退火后的SEM结果 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 不同处理工艺对4H-SiC ESR谱的影响 | 第35-47页 |
| ·C~+离子注入对样品ESR谱的影响 | 第35-41页 |
| ·Si~+离子注入对样品ESR谱的影响 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 结束语 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |