中文摘要 | 第1-13页 |
ABSTRACT | 第13-16页 |
第一章 绪言 | 第16-26页 |
§1.1 等离子体的基本概念及性质 | 第16-17页 |
§1.2 激光诱导等离子体的应用 | 第17-21页 |
·应用于激光推进技术 | 第17-18页 |
·激光诱导等离子体光谱分析技术在微量元素分析领域的应用 | 第18-20页 |
·激光烧蚀沉积制备薄膜与纳米团簇 | 第20-21页 |
§1.3 本论文的研究内容和目标 | 第21-24页 |
参考文献 | 第24-26页 |
第二章 激光诱导等离子体诊断技术 | 第26-45页 |
§2.1 探针法 | 第27-31页 |
§2.2 发射光谱诊断方法 | 第31-34页 |
§2.3 微波法 | 第34-43页 |
参考文献 | 第43-45页 |
第三章 光谱诊断分析激光诱导等离子体参数的理论基础 | 第45-56页 |
§3.1 等离子体电子温度测量 | 第46-51页 |
·特征谱线的相对强度计算电子温度 | 第47-49页 |
·特征谱线与连续谱线的相对强度计算电子温度 | 第49-50页 |
·特征谱线反转法计算电子温度 | 第50-51页 |
§3.2 电子密度的测定 | 第51-55页 |
参考文献 | 第55-56页 |
第四章 脉冲激光烧蚀KTiOAsO_4和KTiOPO_4晶体生成等离子体时空演化规律研究 | 第56-74页 |
§4.1 实验过程 | 第57-59页 |
§4.2 实验结果及分析讨论 | 第59-72页 |
·脉冲激光烧蚀KTA晶体产生等离子体参数空间分布规律 | 第59-66页 |
·脉冲激光烧蚀KTP晶体产生等离子体参数随时间变化特性 | 第66-72页 |
§4.3 小结 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-74页 |
第五章 脉冲激光烧蚀SiC晶体产生等离子体空间分布和时间演化特性研究 | 第74-102页 |
§5.1 实验过程 | 第75-76页 |
§5.2 实验结果及分析讨论 | 第76-98页 |
·激光烧蚀SiC晶体产生等离子体空间分布研究 | 第76-87页 |
·激光烧蚀SiC晶体产生等离子体时间演化规律 | 第87-90页 |
·局部热力学平衡条件的验证 | 第90-91页 |
·激光烧蚀SiC晶体产生等离子体典型谱线的时空演化特性 | 第91-98页 |
§5.3 小结 | 第98-100页 |
参考文献 | 第100-102页 |
第六章 高功率激光烧蚀SiC晶体产生等离子体喷射速度研究 | 第102-116页 |
§6.1 实验过程 | 第103-104页 |
§6.2 实验结果及分析讨论 | 第104-113页 |
·等离子体中不同粒子飞行速度 | 第104-109页 |
·等离子体飞行速度的空间分布特点 | 第109-112页 |
·入射激光能量对粒子飞行速度的影响 | 第112-113页 |
§6.3 小结 | 第113-114页 |
参考文献 | 第114-116页 |
第七章 总结与展望 | 第116-119页 |
致谢 | 第119-121页 |
攻读博士学位期间发表的论文及获得的奖励 | 第121-124页 |
附:外文论文 | 第124-132页 |
1. Early-stage evolution of the plasma over KTiOPO4 samples generated by high-intensity laser radiations | 第124-127页 |
2. The dimension of the core and the tail of the plasma produced by laser ablating SiC targets | 第127-132页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第132页 |