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脉冲激光束烧蚀KTiOAsO4、KTiOPO4和SiC材料产生等离子体特性研究

中文摘要第1-13页
ABSTRACT第13-16页
第一章 绪言第16-26页
 §1.1 等离子体的基本概念及性质第16-17页
 §1.2 激光诱导等离子体的应用第17-21页
     ·应用于激光推进技术第17-18页
     ·激光诱导等离子体光谱分析技术在微量元素分析领域的应用第18-20页
     ·激光烧蚀沉积制备薄膜与纳米团簇第20-21页
 §1.3 本论文的研究内容和目标第21-24页
 参考文献第24-26页
第二章 激光诱导等离子体诊断技术第26-45页
 §2.1 探针法第27-31页
 §2.2 发射光谱诊断方法第31-34页
 §2.3 微波法第34-43页
 参考文献第43-45页
第三章 光谱诊断分析激光诱导等离子体参数的理论基础第45-56页
 §3.1 等离子体电子温度测量第46-51页
     ·特征谱线的相对强度计算电子温度第47-49页
     ·特征谱线与连续谱线的相对强度计算电子温度第49-50页
     ·特征谱线反转法计算电子温度第50-51页
 §3.2 电子密度的测定第51-55页
 参考文献第55-56页
第四章 脉冲激光烧蚀KTiOAsO_4和KTiOPO_4晶体生成等离子体时空演化规律研究第56-74页
 §4.1 实验过程第57-59页
 §4.2 实验结果及分析讨论第59-72页
     ·脉冲激光烧蚀KTA晶体产生等离子体参数空间分布规律第59-66页
     ·脉冲激光烧蚀KTP晶体产生等离子体参数随时间变化特性第66-72页
 §4.3 小结第72-73页
 参考文献第73-74页
第五章 脉冲激光烧蚀SiC晶体产生等离子体空间分布和时间演化特性研究第74-102页
 §5.1 实验过程第75-76页
 §5.2 实验结果及分析讨论第76-98页
     ·激光烧蚀SiC晶体产生等离子体空间分布研究第76-87页
     ·激光烧蚀SiC晶体产生等离子体时间演化规律第87-90页
     ·局部热力学平衡条件的验证第90-91页
     ·激光烧蚀SiC晶体产生等离子体典型谱线的时空演化特性第91-98页
 §5.3 小结第98-100页
 参考文献第100-102页
第六章 高功率激光烧蚀SiC晶体产生等离子体喷射速度研究第102-116页
 §6.1 实验过程第103-104页
 §6.2 实验结果及分析讨论第104-113页
     ·等离子体中不同粒子飞行速度第104-109页
     ·等离子体飞行速度的空间分布特点第109-112页
     ·入射激光能量对粒子飞行速度的影响第112-113页
 §6.3 小结第113-114页
 参考文献第114-116页
第七章 总结与展望第116-119页
致谢第119-121页
攻读博士学位期间发表的论文及获得的奖励第121-124页
附:外文论文第124-132页
 1. Early-stage evolution of the plasma over KTiOPO4 samples generated by high-intensity laser radiations第124-127页
 2. The dimension of the core and the tail of the plasma produced by laser ablating SiC targets第127-132页
学位论文评阅及答辩情况表第132页

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