首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按工艺分论文

RF CMOS工艺肖特基二极管特性及建模研究

摘要第1-3页
ABSTRACT第3-5页
第1章 绪论第5-12页
   ·射频集成电路的发展和应用第5-8页
   ·射频集成电路的制造工艺第8-10页
   ·所选课题的目的和意义第10-11页
   ·本文的主要内容第11-12页
第2章 肖特基二极管的原理及其应用第12-28页
   ·金属半导体接触及其能带图第12-15页
   ·肖特基势垒的电流输运过程第15-20页
   ·肖特基势垒高度的影响因素第20-23页
   ·欧姆接触第23-25页
   ·硅基肖特基二极管的研究现状第25-26页
   ·肖特基二极管在射频电路中的应用第26-28页
第3章 肖特基二极管设计考虑第28-37页
   ·肖特基二极管的结构第28-32页
   ·制造工艺中接触金属材料的特性第32-34页
   ·测试考虑第34-37页
第4章 肖特基二极管的测试和结果分析第37-54页
   ·DC特性测试与结果分析第37-41页
   ·CV特性测试和结果分析第41-43页
   ·RF特性测试与结果分析第43-48页
   ·肖特基二极管参数的计算第48-54页
第5章 肖特基二极管的模型建立第54-62页
   ·半导体器件模型化的重要性及其流程第54-56页
   ·DC特性建模第56-59页
   ·RF特性建模第59-62页
结束语第62-63页
参考文献第63-66页
致谢第66页

论文共66页,点击 下载论文
上一篇:微纳光纤表面粗糙度引起的散射损耗理论研究
下一篇:氧化钨电致变色薄膜的研究