RF CMOS工艺肖特基二极管特性及建模研究
摘要 | 第1-3页 |
ABSTRACT | 第3-5页 |
第1章 绪论 | 第5-12页 |
·射频集成电路的发展和应用 | 第5-8页 |
·射频集成电路的制造工艺 | 第8-10页 |
·所选课题的目的和意义 | 第10-11页 |
·本文的主要内容 | 第11-12页 |
第2章 肖特基二极管的原理及其应用 | 第12-28页 |
·金属半导体接触及其能带图 | 第12-15页 |
·肖特基势垒的电流输运过程 | 第15-20页 |
·肖特基势垒高度的影响因素 | 第20-23页 |
·欧姆接触 | 第23-25页 |
·硅基肖特基二极管的研究现状 | 第25-26页 |
·肖特基二极管在射频电路中的应用 | 第26-28页 |
第3章 肖特基二极管设计考虑 | 第28-37页 |
·肖特基二极管的结构 | 第28-32页 |
·制造工艺中接触金属材料的特性 | 第32-34页 |
·测试考虑 | 第34-37页 |
第4章 肖特基二极管的测试和结果分析 | 第37-54页 |
·DC特性测试与结果分析 | 第37-41页 |
·CV特性测试和结果分析 | 第41-43页 |
·RF特性测试与结果分析 | 第43-48页 |
·肖特基二极管参数的计算 | 第48-54页 |
第5章 肖特基二极管的模型建立 | 第54-62页 |
·半导体器件模型化的重要性及其流程 | 第54-56页 |
·DC特性建模 | 第56-59页 |
·RF特性建模 | 第59-62页 |
结束语 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-66页 |
致谢 | 第66页 |