| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究背景 | 第9-11页 |
| ·CMOS 射频集成电路的发展 | 第9-10页 |
| ·低噪声放大器在收发机的体系结构中的作用 | 第10-11页 |
| ·低噪声放大器的研究现状 | 第11页 |
| ·射频集成电路设计的EDA 工具 | 第11-13页 |
| ·微波电路仿真软件 | 第11-12页 |
| ·电磁场数值方法--模拟工具Momentum 和HFSS | 第12-13页 |
| ·论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 2 射频电路基础及CMOS 器件模型 | 第14-33页 |
| ·射频电路基础 | 第14-15页 |
| ·S 参数 | 第14-15页 |
| ·Smith 圆 | 第15页 |
| ·射频电路的增益和线性度 | 第15-18页 |
| ·功率增益 | 第15-16页 |
| ·线性度 | 第16-18页 |
| ·CMOS 电阻和电容射频模型 | 第18-20页 |
| ·电阻 | 第18-19页 |
| ·电容 | 第19-20页 |
| ·射频集成电路的关键元件-平面螺旋电感 | 第20-24页 |
| ·平面螺旋电感等效模型和计算 | 第20-22页 |
| ·仿真和分析 | 第22-24页 |
| ·射频噪声理论与CMOS MOSFET 模型 | 第24-32页 |
| ·固态器件中的噪声源 | 第24-25页 |
| ·二端口网络噪声理论及级联系统 | 第25-27页 |
| ·深亚微米MOSFET 噪声模型 | 第27-28页 |
| ·深亚微米噪声模型 | 第28-30页 |
| ·MOSFET 两端口网络最小噪声的推导 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 低噪声放大器的设计理论和方法 | 第33-43页 |
| ·LNA 设计的指标 | 第33页 |
| ·LNA 的基本拓扑结构 | 第33-34页 |
| ·射频电路稳定性判定及稳定化 | 第34-37页 |
| ·稳定性判定圆 | 第34-36页 |
| ·稳定区域的判定 | 第36页 |
| ·放大器稳定性判据 | 第36-37页 |
| ·放大器稳定性措施 | 第37页 |
| ·按恒定增益指标设计的方法 | 第37-39页 |
| ·单向化设计 | 第37页 |
| ·非单向化双共轭匹配的设计 | 第37-38页 |
| ·工作功率增益和资用功率增益 | 第38-39页 |
| ·按低噪声设计法 | 第39-40页 |
| ·宽带低噪声放大器的设计方法 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 CMOS 低噪声放大器的设计 | 第43-55页 |
| ·CMOS 差分Cascode 低噪声放大器 | 第43-45页 |
| ·源极负反馈LNA 的推导 | 第43-44页 |
| ·共源MOSFET 管Cgd 的Miller 效应 | 第44-45页 |
| ·源级负反馈Cascode 差分LNA | 第45-46页 |
| ·射频LNA 功耗约束噪声优化 | 第46-48页 |
| ·级联级栅宽W2 的选择 | 第48页 |
| ·级间匹配电感的Cascode 差分LNA | 第48-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 分立低噪声放大器的设计 | 第55-66页 |
| ·窄带LNA 的设计 | 第55-61页 |
| ·偏置电路和稳定性设计 | 第55-57页 |
| ·匹配和优化设计 | 第57-61页 |
| ·PCB 设计 | 第61-62页 |
| ·射频PCB 设计及注意事项 | 第61页 |
| ·本文PCB 设计 | 第61-62页 |
| ·宽带LNA 的设计 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 6 总结 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 附录 | 第72-75页 |