多模干涉耦合器集成的V型耦合腔激光器研究
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 波长可调谐半导体激光器 | 第9-11页 |
| 1.2 单片集成技术 | 第11-13页 |
| 1.2.1 端对接技术 | 第12页 |
| 1.2.2 选择区域外延技术 | 第12页 |
| 1.2.3 偏置量子阱技术 | 第12-13页 |
| 1.2.4 量子阱混杂技术 | 第13页 |
| 1.2.5 多波导垂直集成技术 | 第13页 |
| 1.3 可调谐全光波长转换技术 | 第13-17页 |
| 1.3.1 全光波长转换技术(AOWC) | 第13-15页 |
| 1.3.2 单片集成可调谐全光波长转换技术 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文章节安排及创新点 | 第17-19页 |
| 1.4.1 论文章节安排 | 第17页 |
| 1.4.2 论文创新点 | 第17-19页 |
| 2 耦合器出光的V型耦合腔激光器的设计 | 第19-40页 |
| 2.1 V型耦合腔激光器的基本结构和工作原理 | 第19-30页 |
| 2.1.1 游标效应 | 第19-21页 |
| 2.1.2 半波耦合器 | 第21-24页 |
| 2.1.3 阈值条件 | 第24页 |
| 2.1.4 两腔光场进入半波耦合器的相位差 | 第24-30页 |
| 2.2 耦合器端出光V型耦合腔激光器的设计 | 第30-40页 |
| 2.2.1 激光器参数的设计 | 第30-35页 |
| 2.2.2 带角度的多模干涉耦合器的设计 | 第35-40页 |
| 3 V型耦合腔激光器的制作及测试 | 第40-57页 |
| 3.1 关键工艺步骤 | 第40-44页 |
| 3.1.1 光刻 | 第40-41页 |
| 3.1.2 刻蚀 | 第41-42页 |
| 3.1.3 剥离 | 第42页 |
| 3.1.4 量子阱混杂 | 第42-44页 |
| 3.2 器件测试平台 | 第44-45页 |
| 3.2.1 有源直流测试平台 | 第44页 |
| 3.2.2 无源测试平台 | 第44-45页 |
| 3.2.3 光致发光(PL)谱测试平台 | 第45页 |
| 3.3 InGaAlAs材料器件测试 | 第45-52页 |
| 3.4 InGaAsP材料器件的制作与测试 | 第52-57页 |
| 3.4.1 带混杂的器件的制作 | 第52-54页 |
| 3.4.2 InGaAsP材料器件的测试 | 第54-57页 |
| 4 基于V型耦合腔激光器的全光波长转换 | 第57-66页 |
| 4.1 器件的结构及工作原理 | 第57-58页 |
| 4.2 基于时域行波模型的仿真 | 第58-66页 |
| 4.2.1 时域行波模型 | 第58-60页 |
| 4.2.2 仿真用的参数 | 第60-61页 |
| 4.2.3 静态仿真结果 | 第61-63页 |
| 4.2.4 动态仿真结果 | 第63-66页 |
| 5 总结和展望 | 第66-68页 |
| 5.1 本文总结 | 第66页 |
| 5.2 工作展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 附录 | 第72页 |
| 作者简介 | 第72页 |
| 成果附录 | 第72页 |
