| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第8-10页 |
| ·SiC工艺与 MOS器件研究现状 | 第10-12页 |
| ·本文要解决的主要问题 | 第12页 |
| ·研究内容和章节安排 | 第12-14页 |
| 2 SiC MOS结构基本原理 | 第14-22页 |
| ·氧化动力学分析 | 第14-15页 |
| ·SiO_2/SiC界面态成因分析 | 第15-17页 |
| ·关于提高SiO_2/SiC界面性能的研究 | 第17-22页 |
| ·基于材料研究的解决方案 | 第17-19页 |
| ·通过不同退火工艺实现界面性能的提升 | 第19-22页 |
| 3 SiC MOS结构工艺 | 第22-30页 |
| ·氧化前预处理 | 第22-23页 |
| ·衬底清洗 | 第22-23页 |
| ·其他表面处理方法 | 第23页 |
| ·氧化工艺 | 第23-25页 |
| ·Si衬底的氧化 | 第24页 |
| ·SiC衬底的氧化 | 第24-25页 |
| ·金属电极制作 | 第25-30页 |
| ·金属掩膜板 | 第25-29页 |
| ·金属电极制作工艺 | 第29-30页 |
| 4 SiC基本 MOS电容的电学参数测试与分析 | 第30-48页 |
| ·I-V测试与分析 | 第30-38页 |
| ·基本原理 | 第30-33页 |
| ·I-V测试实验与数据解析 | 第33-36页 |
| ·工艺对 MOS电容器件 I-V特性的影响 | 第36-38页 |
| ·MOS电容器件背电极的I-V特性 | 第38页 |
| ·C-V测试与分析 | 第38-48页 |
| ·理想 C-V曲线原理 | 第39-42页 |
| ·高频 C-V曲线特征与分析 | 第42-45页 |
| ·准静态 C-V测试的原理与结果 | 第45-48页 |
| 5 SiO_2/SiC界面态分析 | 第48-56页 |
| ·利用 Terman法进行界面态密度分布分析 | 第48-51页 |
| ·用Terman法分析界面态密度分布的原理 | 第48-49页 |
| ·用Terman法分析界面态密度分布 | 第49-51页 |
| ·利用高频—准静态(HF-QS)法进行界面态密度分布分析 | 第51-54页 |
| ·用高频—准静态(HF-QS)法分析界面态密度分布的原理 | 第51-53页 |
| ·用高频—准静态(HF-QS)法获得的SiO_2/SiC界面态密度分布情况 | 第53-54页 |
| ·湿氧二次氧化退火对SiO_2/SiC界面结构的影响 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录A 理想情况下 MOS电容衬底电容(C_s)的计算 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
