铝诱导法制备多晶硅薄膜研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·多晶硅薄膜的性质 | 第8-9页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法 | 第9-14页 |
| ·低压化学气相淀积(LPCVD) | 第9页 |
| ·热丝化学气相淀积(HWCVD) | 第9-10页 |
| ·固相晶化(SPC) | 第10-11页 |
| ·激光诱导晶化(LIC) | 第11-12页 |
| ·快速热退火(RTA) | 第12页 |
| ·等离子体增强的化学气相沉积(PECVD) | 第12-13页 |
| ·金属诱导晶化(MIC) | 第13-14页 |
| ·多晶硅薄膜的应用和研究现状 | 第14-17页 |
| ·光伏方面 | 第15-16页 |
| ·晶体管方面 | 第16-17页 |
| ·本课题研究的内容和意义 | 第17-19页 |
| 第二章 铝诱导法制备多晶硅薄膜实验研究 | 第19-31页 |
| ·衬底准备 | 第19-20页 |
| ·热蒸发镀铝膜 | 第20-23页 |
| ·实验原理 | 第20-21页 |
| ·实验装置 | 第21-22页 |
| ·蒸镀铝膜的实验步骤 | 第22-23页 |
| ·非晶硅薄膜的制备 | 第23-28页 |
| ·PECVD法沉积非晶硅薄膜原理 | 第24-25页 |
| ·PECVD实验装置 | 第25-26页 |
| ·制备非晶硅膜的实验步骤 | 第26-28页 |
| ·非晶硅薄膜的制备参数 | 第28页 |
| ·退火处理制备多晶硅薄膜 | 第28页 |
| ·多晶硅薄膜的分析方法 | 第28-31页 |
| ·X射线衍射(XRD)谱 | 第28-29页 |
| ·激光拉曼(RAMAN)谱 | 第29-30页 |
| ·扫描探针显微镜(SPM) | 第30页 |
| ·紫外可见近红外(UV-VIS-NIR)光谱 | 第30-31页 |
| 第三章 影响多晶硅薄膜结构和性质的主要因素 | 第31-42页 |
| ·热蒸发镀铝膜时的影响 | 第31-33页 |
| ·PECVD沉积条件对非晶硅薄膜的影响分析 | 第33-34页 |
| ·衬底温度 | 第33页 |
| ·射频功率 | 第33页 |
| ·氢气浓度 | 第33-34页 |
| ·低温退火过程的影响 | 第34-38页 |
| ·退火时间和温度 | 第34-37页 |
| ·退火气氛 | 第37-38页 |
| ·其它因素的影响 | 第38-42页 |
| ·氧化层 | 第38-39页 |
| ·铝硅厚度比 | 第39-41页 |
| ·衬底材料 | 第41-42页 |
| 第四章 晶化机理分析 | 第42-44页 |
| 总结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第51页 |
