X波段低相噪压控振荡器的研制
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·压控振荡器的历史回顾 | 第8-12页 |
| ·研制低相位噪声 VCO 的意义 | 第12-13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-14页 |
| ·本人在课题中所做的工作 | 第14-15页 |
| 第二章 振荡器的基本原理 | 第15-29页 |
| ·振荡器基础 | 第15-18页 |
| ·三端振荡器 | 第18-20页 |
| ·两端振荡器 | 第20-23页 |
| ·幅度稳定 | 第23-24页 |
| ·相位稳定 | 第24-26页 |
| ·两端口微波振荡器的设计 | 第26-29页 |
| ·两端口微波振荡器的振荡条件 | 第26-27页 |
| ·两端口负阻振荡器设计 | 第27-29页 |
| 第三章 振荡器的相位噪声分析及低相噪设计 | 第29-43页 |
| ·相位噪声的影响及计算方法 | 第29-31页 |
| ·相位噪声的影响 | 第29页 |
| ·相位噪声的描述 | 第29-31页 |
| ·计算振荡器相位噪声的线性方法 | 第31-36页 |
| ·振荡器相位噪声的非线性分析方法简述 | 第36页 |
| ·振荡器的低相位噪声设计 | 第36-43页 |
| ·降低相位噪声的一些措施 | 第36-37页 |
| ·减小1/F 噪声影响 | 第37-38页 |
| ·变容管对相位噪声的影响 | 第38-43页 |
| 第四章 振荡器的器件选择及仿真设计 | 第43-59页 |
| ·器件的选择 | 第43-47页 |
| ·关于锗硅技术简介 | 第43-45页 |
| ·有源器件的选择 | 第45-46页 |
| ·变容二极管的选择 | 第46页 |
| ·介质基片的选择 | 第46-47页 |
| ·频率范围 | 第47页 |
| ·仿真软件 | 第47页 |
| ·在仿真中实现振荡条件 | 第47-59页 |
| ·有源电路模型建立 | 第50-54页 |
| ·调谐回路模型建立 | 第54-57页 |
| ·非线性模型建立 | 第57-59页 |
| 第五章 振荡器的具体实现及测试 | 第59-65页 |
| ·电路实现的步骤 | 第59页 |
| ·电路制版及装架结构 | 第59-60页 |
| ·电路调试及测试 | 第60-65页 |
| ·有源电路调试及测试 | 第60-61页 |
| ·调谐回路调试 | 第61页 |
| ·完成电路并测试指标 | 第61-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 个人简历及研究成果 | 第69-70页 |
