| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-20页 |
| ·SiC和SiC MESFET的主要特性 | 第10-11页 |
| ·SiC MESFET的国内外发展动态 | 第11-12页 |
| ·SiC MESFET大信号建模概述 | 第12-18页 |
| ·半导体器件建模的发展 | 第12-17页 |
| ·SiC MESFET器件特性 | 第17-18页 |
| ·本文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 微波功率SiC MESFET小信号模型建立 | 第20-28页 |
| ·SiC MESFET小信号等效电路模型 | 第20-21页 |
| ·SiC MESFET小信号模型参数提取 | 第21-26页 |
| ·寄生参数的提取 | 第22-23页 |
| ·本征参数的提取 | 第23-24页 |
| ·模型参数值优化 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 微波功率SiC MESFET大信号模型建立 | 第28-36页 |
| ·SiC MESFET直流I-V特性经验模型 | 第29-31页 |
| ·SiC MESFET非线性电容模型 | 第31-32页 |
| ·栅源电容Cgs模型和栅漏电容Cgd模型 | 第31-32页 |
| ·漏源电容Cds模型 | 第32页 |
| ·大信号模型的验证 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 大栅宽SiC MESFET器件大信号模型建立 | 第36-53页 |
| ·单胞SiC MESFET器件小信号模型 | 第36-39页 |
| ·单胞SiC MESFET器件大信号模型 | 第39-47页 |
| ·非线性漏源电流模型 | 第39-42页 |
| ·非线性电容经验模型 | 第42-44页 |
| ·单胞SiC MESFET器件大信号模型验证 | 第44-47页 |
| ·大栅宽SiC MESFET器件大信号模型 | 第47-52页 |
| ·24mm大栅宽SiC MESFET器件脉冲波大信号模型 | 第48-50页 |
| ·30mm大栅宽SiC MESFET器件连续波大信号模型 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 SiC MESFET Design_Kit模型库的建立和使用 | 第53-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 在校期间取得的成果 | 第61-62页 |
