| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·概述 | 第11页 |
| ·内应力的分类 | 第11-12页 |
| ·内应力影响元器件的具体表现 | 第12-13页 |
| ·应力成因的理论模型 | 第13-14页 |
| ·影响内应力的因素 | 第14-16页 |
| ·基片情况 | 第14-15页 |
| ·淀积过程 | 第15页 |
| ·薄膜本身 | 第15-16页 |
| ·本文研究的目的、方法和内容 | 第16-18页 |
| ·研究目的 | 第16页 |
| ·研究方法 | 第16页 |
| ·研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 实验平台与理论基础 | 第18-28页 |
| ·实验仪器简介 | 第18-19页 |
| ·样品来源 | 第19-20页 |
| ·应力测量方法及原理 | 第20-28页 |
| ·ε-sin~2ψ法 | 第20-21页 |
| ·三轴应力分析方法 | 第21-22页 |
| ·掠入射X 射线衍射法 | 第22-23页 |
| ·倒易空间法 | 第23-26页 |
| ·倒易空间图的基本原理 | 第24-25页 |
| ·薄膜外延应变的精确测定方法 | 第25-26页 |
| ·摇摆曲线半高宽法 | 第26-27页 |
| ·曲率半径法 | 第27-28页 |
| 第三章 带STO缓冲层的LAO基片上YBCO薄膜微结构及应力研究 | 第28-36页 |
| ·背景 | 第28-29页 |
| ·样品的制备条件及实验方法 | 第29-30页 |
| ·样品制备的条件 | 第29页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 BST铁电薄膜残余应力与微结构分析 | 第36-46页 |
| ·背景 | 第36-38页 |
| ·实验 | 第38页 |
| ·样品的制备条件 | 第38页 |
| ·分析测试 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-44页 |
| ·微结构与残余应力 | 第38-39页 |
| ·残余应力的测量 | 第39-42页 |
| ·晶粒大小 | 第42-43页 |
| ·表面形貌 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 ZnO薄膜微结构和残余应力研究 | 第46-60页 |
| ·背景 | 第46-48页 |
| ·实验 | 第48页 |
| ·样品的制备条件 | 第48页 |
| ·微结构表征与应力测试 | 第48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-58页 |
| ·薄膜的微结构与结晶取向 | 第48-50页 |
| ·晶粒大小 | 第50-51页 |
| ·残余应力的分析 | 第51-56页 |
| ·表面形貌 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |