| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1．1 引言 | 第9-12页 |
| 1．2 研究目的 | 第12页 |
| 1．3 同位素材料简介 | 第12-15页 |
| 1．3．1 同位素介绍 | 第12-13页 |
| 1．3．2 同位素衰变方式 | 第13-14页 |
| 1．3．3 同位素在热源、电源的应用 | 第14页 |
| 1．3．4 同位素的选择 | 第14-15页 |
| 1．4 文献综述 | 第15-20页 |
| 1．4．1 贝他 - 伏特效应应用 | 第15-19页 |
| 1．4．2 阿尔发 - 伏特效应应用 | 第19-20页 |
| 2 同位素微电池的结构和工作原理 | 第20-28页 |
| 2．1 同位素微电池的结构 | 第20-25页 |
| 2．1．1 电池基本结构 | 第20-24页 |
| 2．1．2 选择性发射极结构 | 第24-25页 |
| 2．2 同位素微电池的工作原理 | 第25-28页 |
| 3 同位素微电池理论模型的建立 | 第28-50页 |
| 3．1 电子空穴对的产生 | 第28-32页 |
| 3．1．1 β粒子作用效果的简化 | 第28-29页 |
| 3．1．2 同位素衰变能谱的计算 | 第29-31页 |
| 3．1．3 单能电子所经单位路程上的能量损失 | 第31页 |
| 3．1．4 单位长度路程上产生的离子对数 | 第31-32页 |
| 3．2 电子空穴对的复合 | 第32-33页 |
| 3．2．1 直接辐射复合 | 第32页 |
| 3．2．2 俄歇复合 | 第32-33页 |
| 3．2．3 单一复合中心的间接复合 | 第33页 |
| 3．2．4 表面复合 | 第33页 |
| 3．3 短路电流 | 第33-38页 |
| 3．3．1 N区电流密度的推导 | 第36-37页 |
| 3．3．2 P区电流密度的推导 | 第37页 |
| 3．3．3 耗尽区电流密度的推导 | 第37-38页 |
| 3．4 电池内部电阻 | 第38页 |
| 3．4．1 串联电阻 | 第38页 |
| 3．4．2 并联电阻 | 第38页 |
| 3．5 电池的等效电路 | 第38-39页 |
| 3．6 开路电压 | 第39页 |
| 3．7 输出功率 | 第39页 |
| 3．8 转化效率 | 第39-40页 |
| 3．9 填充因数 | 第40页 |
| 3．10 模拟计算方法 | 第40-50页 |
| 4 数值分析与模拟 | 第50-60页 |
| 4．1 表面层的掺杂浓度对电池性能的影响 | 第50-52页 |
| 4．2 基区的掺杂浓度对电池性能的影响 | 第52-53页 |
| 4．3 工作温度对电池性能的影响 | 第53-54页 |
| 4．4 扩散深度对电池性能的影响 | 第54-55页 |
| 4．5 厚度对电池性能的影响 | 第55-56页 |
| 4．6 活度对电池性能的影响 | 第56-57页 |
| 4．7 电池的常规结构与选择发射极结构的性能比较及试验数值比较 | 第57-60页 |
| 4．7．1 池的常规结构与选择发射极结构的性能比较 | 第57-58页 |
| 4．7．2 计算数值与实验值的比较 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录A 电池内部串联电阻 | 第64-66页 |
| 附录B 符号说明 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第71页 |