| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·纳米材料概述 | 第11-13页 |
| ·准一维纳米材料研究意义和现状 | 第13-18页 |
| ·准一维纳米材料生长机理 | 第18-22页 |
| ·准一维纳米材料物性研究 | 第22-28页 |
| ·纳米组装技术的研究 | 第28-29页 |
| ·论文选题背景和研究内容 | 第29-35页 |
| 第二章 β-GA_20_3准一维纳米材料微波等离子体法制备 | 第35-68页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·β-GA_20_3 准一维半导体纳米材料研究现状和意义 | 第35-36页 |
| ·等离子体 | 第36-39页 |
| ·实验装置 | 第39-40页 |
| ·实验方法 | 第40-43页 |
| ·实验结果分析 | 第43-54页 |
| ·实验最佳工艺参数的确定 | 第54-58页 |
| ·β-GA_20_3 纳米环制备条件及结果分析 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-68页 |
| 第三章 催化剂辅助生长具有取向性排列β-GA_20_3纳米带结构制备 | 第68-81页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·准一维纳米材料具有取向性制备的研究 | 第68-70页 |
| ·β-GA_20_3 准一维纳米材料具有取向性阵列研究 | 第70-71页 |
| ·实验方法 | 第71-72页 |
| ·实验结果与分析 | 第72-76页 |
| ·不同工艺参数对制备β-GA_20_3 纳米带阵列的影响 | 第76-77页 |
| ·本章小节 | 第77-81页 |
| 第四章 氧化镓纳米带自组装排列薄膜 | 第81-97页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·自组装技术在纳米材料发展应用中的重要作用 | 第81-82页 |
| ·自组装纳米材料薄膜的意义 | 第82页 |
| ·毛细作用自组装技术 | 第82-87页 |
| ·毛细作用下形成Β-GA_20_3 纳米带自组装薄膜 | 第87页 |
| ·实验方法 | 第87页 |
| ·实验产物的表征 | 第87页 |
| ·实验结果与讨论 | 第87-92页 |
| ·实验的主要因素讨论 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-97页 |
| 第五章 β-GA_20_3纳米带的光学性能 | 第97-115页 |
| ·引言 | 第97-98页 |
| ·光致发光的基本原理 | 第98页 |
| ·半导体纳米材料的发光特性 | 第98-100页 |
| ·β-GA_20_3 的光致发光机理 | 第100-101页 |
| ·实验方法 | 第101页 |
| ·实验结果 | 第101-111页 |
| ·实验结果分析 | 第111-112页 |
| ·本章小结 | 第112-115页 |
| 第六章 β-GA_20_3准一维纳米材料的电学性能 | 第115-143页 |
| ·引言 | 第115页 |
| ·准一维纳米材料构筑的FET | 第115-130页 |
| ·氧化镓纳米带薄膜气体传感器 | 第130-139页 |
| ·本章小结 | 第139-143页 |
| 第七章 结束语 | 第143-146页 |
| ·总结 | 第143-144页 |
| ·创新点 | 第144-145页 |
| ·展望 | 第145-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第147-150页 |
