CVD/CVI氧化硅设备研制及工艺机理探索
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
目录 | 第7-10页 |
第1章 绪论 | 第10-27页 |
·透波材料 | 第10-11页 |
·天线罩的选材原则 | 第11-12页 |
·天线罩的发展过程 | 第12-15页 |
·石英陶瓷的改性研究 | 第15-19页 |
·纤维增强石英玻璃复合材料 | 第15-16页 |
·晶须和颗粒增强石英玻璃复合材料 | 第16-17页 |
·石英玻璃基复合材料应用中存在的问题 | 第17-19页 |
·纤维增韧二氧化硅基复合材料的制备方法 | 第19-24页 |
·浆料浸渍结合热压法 | 第19页 |
·硅溶胶循环浸渍法 | 第19-20页 |
·化学气相沉积法 | 第20-24页 |
·CVI的原理和优点 | 第20-22页 |
·CVI技术的分类 | 第22-24页 |
·研究目的 | 第24页 |
·研究内容 | 第24页 |
参考文献 | 第24-27页 |
第2章 实验设备研制 | 第27-44页 |
·设备的基本要求 | 第27-29页 |
·试样尺寸 | 第27页 |
·实验温度 | 第27-28页 |
·反应气和载气的流量 | 第28页 |
·先驱体的控制温度范围 | 第28页 |
·真空要求 | 第28页 |
·设备的原理 | 第28-29页 |
·设备设计的过程和规范 | 第29-35页 |
·真空设计的选材要求 | 第29-31页 |
·结构材料选材 | 第29-31页 |
·密封材料选择 | 第31页 |
·真空系统的连接要求 | 第31-34页 |
·永久性密封连接 | 第31-32页 |
·柔性连接 | 第32-33页 |
·密封圈连接 | 第33-34页 |
·密封垫连接 | 第34页 |
·除尘器 | 第34-35页 |
·真空的度量 | 第35页 |
·真空系统的检漏 | 第35-37页 |
·漏气性质判断 | 第35-36页 |
·漏气点判定 | 第36-37页 |
·试验前的真空检验 | 第37页 |
·反应室的功率设计和温度场 | 第37-40页 |
·电炉理论功率 | 第37-39页 |
·工作状态下的温度场 | 第39-40页 |
·真空泵的抽速选择 | 第40-41页 |
·实验设备的检验和改进 | 第41-42页 |
·小结 | 第42-43页 |
参考文献 | 第43-44页 |
第3章 CVD SiO_2工艺与机理 | 第44-55页 |
·实验过程 | 第44-46页 |
·先驱体的选择 | 第44-46页 |
·CVD工艺参数 | 第46页 |
·测试分析方法 | 第46页 |
·实验结果及分析讨论 | 第46-54页 |
·乙烯基三乙氧基硅烷CVD SiO_2的结果分析 | 第46-50页 |
·沉积温度对沉积产物显微结构的影响 | 第46-50页 |
·挥发温度对沉积速率的影响 | 第50-54页 |
·小结 | 第54页 |
参考文献 | 第54-55页 |
第4章 CVI SiO_2工艺与机理 | 第55-77页 |
·实验过程 | 第55-58页 |
·增强纤维的选择 | 第55页 |
·界面材料选择 | 第55-56页 |
·CVI工艺参数 | 第56页 |
·预制体制备 | 第56-57页 |
·测试分析方法 | 第57-58页 |
·CVI结果及沉积过程分析 | 第58-67页 |
·CVI沉积物形貌分析 | 第58-60页 |
·复合材料力学性能 | 第60-62页 |
·复合材料的密度和气孔率 | 第62页 |
·增重与时间的关系 | 第62-64页 |
·复合材料中氧化硅梯度分析 | 第64-66页 |
·影响渗透的因素分析 | 第66-67页 |
·试样的介电性能分析 | 第67-74页 |
·高温处理对纤维相组成的影响 | 第67-69页 |
·碳对介电性能的影响及除碳的方法 | 第69-74页 |
·小结 | 第74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
第5章 CVI SiO_2渗透性分析 | 第77-85页 |
·CVI闭气孔成因分析 | 第77-78页 |
·瓶颈效应产生的必然性 | 第78-79页 |
·工艺参数对沉积过程的影响 | 第79-84页 |
·增强骨架 | 第79-80页 |
·温度 | 第80页 |
·炉压 | 第80-81页 |
·气体流量 | 第81-82页 |
·纤维预制体与气流夹角对致密化的影响 | 第82-84页 |
·小结 | 第84页 |
参考文献 | 第84-85页 |
结论 | 第85-86页 |
附录1 攻读学位期间发表的学术论文 | 第86-87页 |
致谢 | 第87-88页 |
西北工业大学学位论文知识产权声明书 | 第88页 |
西北工业大学学位论文原创性声明 | 第88页 |