| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究的背景 | 第10-13页 |
| ·论文主要内容 | 第13-15页 |
| 第2章 自组织量子点的应变场理论 | 第15-25页 |
| ·量子点的应变场分布 | 第15-18页 |
| ·S-K生长模式中弹性应变能的变化 | 第18-22页 |
| ·有限元方法基本理论以及COMSOL软件介绍 | 第22-25页 |
| 第3章 InAs/GaAs自组织量子点异质结构的应变特性研究 | 第25-53页 |
| ·InGaAs应力减少层的影响 | 第26-35页 |
| ·InGaAs应力减少层厚度对量子点应变的影响 | 第26-32页 |
| ·InGaAs应力减少层中In组分对量子点应变的影响 | 第32-35页 |
| ·In组分渐变InGaAs层的影响 | 第35-43页 |
| ·GaAsSb应力减少层的影响 | 第43-51页 |
| ·GaAsSb应力减少层厚度对量子点应变的影响 | 第44-48页 |
| ·GaAsSb应力减少层Sb的组分量子点应变的影响 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 InAs/InP自组织量子点异质结构的应变特性研究 | 第53-60页 |
| ·InAs/InP材料特征 | 第53页 |
| ·InGaAs层对InAs/InP量子点的影响 | 第53-60页 |
| 第5章 带有InGaAs应力减少层的InAs/GaAs量子点生长研究 | 第60-68页 |
| ·量子点的生长模式 | 第60-62页 |
| ·量子点的生长方法介绍 | 第62-63页 |
| ·MOCVD技术介绍 | 第63-65页 |
| ·实验方案和结果 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间发表的论文题目 | 第75页 |
