自旋阀巨磁阻（GMR）芯片角度传感特性的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-11页 |
| 第二章 GMR效应的原理与应用概况 | 第11-19页 |
| ·磁阻效应概论 | 第11-15页 |
| ·半导体磁阻效应 | 第13-14页 |
| ·强磁性薄膜磁阻效应 | 第14-15页 |
| ·新型GMR巨磁阻效应 | 第15页 |
| ·GMR效应的原理与应用 | 第15-18页 |
| 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 自旋阀GMR芯片的工作原理 | 第19-33页 |
| ·自旋阀GMR材料的理论基础 | 第19-27页 |
| ·磁性的基本理论 | 第19-26页 |
| ·磁性材料内的电子输送 | 第26-27页 |
| ·自旋阀GMR材料的物理原理 | 第27-28页 |
| ·自旋阀GMR芯片基础 | 第28-32页 |
| ·芯片的制作和结构介绍 | 第28-32页 |
| ·芯片工作原理 | 第32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 实验方案的设计 | 第33-45页 |
| ·芯片部分 | 第33-36页 |
| ·实验芯片的结构 | 第33页 |
| ·芯片的邦定 | 第33-36页 |
| ·实验装置主体部分 | 第36-42页 |
| ·磁路部分 | 第37-40页 |
| ·控制与测量部分 | 第40-42页 |
| ·电路的实现 | 第42-44页 |
| ·芯片的激励电路 | 第42-43页 |
| ·信号处理电路 | 第43-44页 |
| 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 实验结果 | 第45-65页 |
| ·电阻值与外加磁场的关系 | 第45-50页 |
| ·外磁场大小对电阻值的影响 | 第45-48页 |
| ·磁场角度变化对单个GMR电阻值的影响 | 第48-50页 |
| ·桥路的输出特性 | 第50-55页 |
| ·芯片的输出特性 | 第50-52页 |
| ·输出的独立线性度与灵敏度 | 第52-55页 |
| ·温度与输出的关系 | 第55-59页 |
| ·单个自旋阀GMR的温度特性 | 第55-57页 |
| ·芯片的整体温度特性 | 第57-59页 |
| ·芯片的磁滞特性 | 第59-60页 |
| ·噪声与磁干扰特性 | 第60-64页 |
| ·磁电子器件噪声理论基础 | 第60-61页 |
| ·噪声特性的研究 | 第61-63页 |
| ·磁干扰特性的研究 | 第63-64页 |
| 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 附言 | 第66-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
