| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 近零介电常数材料 | 第9-12页 |
| 1.3 表面等离激元模式和近零介电常数模式 | 第12-16页 |
| 1.4 ENZ的实现方式和应用 | 第16-23页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容及章节安排 | 第23-25页 |
| 2 线性掺杂半导体材料中近零介电常数的产生及对电磁模式的影响 | 第25-33页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 半导体材料的复介电常数模型 | 第25-26页 |
| 2.3 线性掺杂三层Si平板中复介电常数分布和近零介电常数的产生 | 第26-28页 |
| 2.4 线性掺杂Si三层平板中的电磁模式 | 第28-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 MOSFET的电子调控机理和复介电常数分布 | 第33-51页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 MOSFET的能带结构及载流子调控机理 | 第33-42页 |
| 3.3 MOSFET中复介电常数的分布及近零介电常数的产生 | 第42-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 4 MOSFET结构中的表面等离激元模式 | 第51-69页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 MOSFET结构中的电磁模式 | 第51-56页 |
| 4.3 MOSFET结构中近零介电常数对电磁场分布的影响 | 第56-62页 |
| 4.4 MOSFET结构中混合表面等离激元模式的局域特性 | 第62-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 5 总结与展望 | 第69-73页 |
| 5.1 总结 | 第69-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 附录一:攻读学位期间发表论文目录 | 第79-80页 |
| 附录二:论文中数值计算所用参数值 | 第80页 |
