基于SOI材料的集成可调谐光衰减器的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| ·VOA在光波分复用(WDM)系统中的应用 | 第7-12页 |
| ·WDM系统介绍 | 第7-8页 |
| ·WDM系统中的通道间功率不均衡问题 | 第8-9页 |
| ·利用VOA实现光网络的功率均衡控制技术 | 第9-10页 |
| ·VOA应用的集成化和阵列化趋势 | 第10-12页 |
| ·VOA的主要实现技术 | 第12-18页 |
| ·机械式光路阻挡的VOA | 第12页 |
| ·基于MEMS技术的VOA | 第12-14页 |
| ·基于集成光学技术的VOA | 第14-17页 |
| ·基于液晶技术的VOA | 第17-18页 |
| ·小结 | 第18页 |
| ·硅集成光学技术 | 第18-21页 |
| ·硅材料的性质 | 第18-20页 |
| ·基于SOI材料的硅集成光学技术 | 第20-21页 |
| ·基于SOI材料实现VOA的技术选择 | 第21页 |
| ·本论文的研究工作和创新点 | 第21-23页 |
| 第二章 可调谐光衰减器的理论和设计优化 | 第23-42页 |
| ·PIN结注入载流子的理论分析 | 第23-28页 |
| ·可调谐光衰减器的设计 | 第28-32页 |
| ·脊型波导横向PIN结构分析 | 第28-30页 |
| ·双脊波导横向PIN结构 | 第30-31页 |
| ·整个器件的设计 | 第31-32页 |
| ·可调谐光衰减器的性能分析和参数优化 | 第32-41页 |
| ·双脊波导横向PIN结构的近似分析模型 | 第32-33页 |
| ·可凋谐光衰减器衰减特性的分析和参数优化 | 第33-38页 |
| ·注入载流子在本征区分布的分析 | 第38页 |
| ·可调谐光衰减器的插入损耗分析 | 第38-40页 |
| ·可调谐光衰减器的响应时间分析 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 可调谐光衰减器的制作 | 第42-52页 |
| ·可调谐光衰减器制作的工艺流程 | 第42-45页 |
| ·可调谐光衰减器制作的关键工艺研究 | 第45-49页 |
| ·光刻工艺中的精细结构制作、台阶覆盖和套刻问题 | 第45-46页 |
| ·热扩散工艺 | 第46-47页 |
| ·干法刻蚀光波导 | 第47-48页 |
| ·波导端面抛光中的应力问题 | 第48-49页 |
| ·可调谐光衰减器的制作结果 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 可调谐光衰减器的测试 | 第52-57页 |
| ·可调谐光衰减器的测试参数和测试结果 | 第52-55页 |
| ·器件的电学特性 | 第52页 |
| ·器件的衰减特性和插入损耗 | 第52-53页 |
| ·器件的响应时间 | 第53-54页 |
| ·器件的偏振相关损耗 | 第54-55页 |
| ·测试结果的分析和工艺改进设想 | 第55-56页 |
| ·测试结果分析 | 第55-56页 |
| ·关于改进器件制作工艺和设计的几点想法 | 第56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 作者简介 | 第61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文和申请专利 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
