中文摘要 | 第1-10页 |
引言 | 第10-13页 |
第一章 电子封装所致残余应力研究进展 | 第13-31页 |
1.1 适于MEMS微系统的先进封装技术简述 | 第13-16页 |
1.1.1 芯片尺寸封装CSP | 第14页 |
1.1.2 多芯片组件MCM | 第14-15页 |
1.1.3 板上芯片封装 | 第15-16页 |
1.2 封装所致应力的分类及其重要性 | 第16-17页 |
1.3 封装残余应力的研究 | 第17-26页 |
1.3.1 压阻效应 | 第17-20页 |
1.3.2 硅压阻芯片的制作 | 第20-21页 |
1.3.3 硅压阻芯片的标定 | 第21-23页 |
1.3.4 基于(111)硅片的压阻理论 | 第23-26页 |
参考文献 | 第26-31页 |
第二章 实验样品准备和实验设计 | 第31-46页 |
2.1 实验设计 | 第32-35页 |
2.2 实验装置 | 第35-38页 |
2.3 相关材料的物理参数 | 第38-42页 |
2.4 相关的应力计算公式 | 第42-45页 |
参考文献 | 第45-46页 |
第三章 板上芯片封装所致应力的研究 | 第46-67页 |
3.1 基板衬底类型对残余应力的影响 | 第46-54页 |
3.1.1 FR4基板上粘合剂固化过程中芯片的应力变化 | 第48-50页 |
3.1.2 Al_2O_3陶瓷基板上的粘合剂固化过程的应力变化 | 第50-52页 |
3.1.3 不同基板上残余应力分布的比较 | 第52-53页 |
3.1.4 小结 | 第53-54页 |
3.2 粘合剂对板上芯片表面残余应力的影响 | 第54-59页 |
3.2.1 固化过程中的应力演化 | 第55-58页 |
3.2.2 不同粘合剂引起的残余应力分布比较 | 第58页 |
3.2.3 小结 | 第58-59页 |
3.3 板上芯片封装中芯片在基板不同位置的残余应力研究 | 第59-66页 |
3.3.1 不同位置的残余应力分布 | 第60-62页 |
3.3.2 固化和热处理过程中残余应力的演化 | 第62-65页 |
3.3.3 小结 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-67页 |
第四章 热处理过程中芯片表面残余应力的演化 | 第67-82页 |
4.1 固化过程中典型位置残余应力的演化 | 第67-72页 |
4.2 再固化过程中芯片表面残余应力的演化 | 第72-74页 |
4.3 在空气中储存20天后热处理时芯片表面残余应力的演化 | 第74-76页 |
4.4 有机粘合剂的热分析 | 第76-80页 |
4.5 小结 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-82页 |
第五章 板上芯片封装应力的有限元分析 | 第82-97页 |
5.1 板上芯片封装结构的有限元模型 | 第82-83页 |
5.2 有限元模拟结果 | 第83-95页 |
5.2.1 芯片在基板的不同粘贴位置时残余应力的分布 | 第83-89页 |
5.2.2 基板的厚度对残余应力的影响 | 第89-90页 |
5.2.3 粘合胶的厚度对残余应力的影响 | 第90-91页 |
5.2.4 与实验的比较 | 第91-95页 |
5.3 小结 | 第95-96页 |
参考文献 | 第96-97页 |
第六章 全文结论 | 第97-100页 |
致谢 | 第100-101页 |
发表论文 | 第101-102页 |
个人简介 | 第102页 |