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MEMS封装中的残余应力演化及其相关可靠性研究

中文摘要第1-10页
引言第10-13页
第一章 电子封装所致残余应力研究进展第13-31页
 1.1 适于MEMS微系统的先进封装技术简述第13-16页
  1.1.1 芯片尺寸封装CSP第14页
  1.1.2 多芯片组件MCM第14-15页
  1.1.3 板上芯片封装第15-16页
 1.2 封装所致应力的分类及其重要性第16-17页
 1.3 封装残余应力的研究第17-26页
  1.3.1 压阻效应第17-20页
  1.3.2 硅压阻芯片的制作第20-21页
  1.3.3 硅压阻芯片的标定第21-23页
  1.3.4 基于(111)硅片的压阻理论第23-26页
 参考文献第26-31页
第二章 实验样品准备和实验设计第31-46页
 2.1 实验设计第32-35页
 2.2 实验装置第35-38页
 2.3 相关材料的物理参数第38-42页
 2.4 相关的应力计算公式第42-45页
 参考文献第45-46页
第三章 板上芯片封装所致应力的研究第46-67页
 3.1 基板衬底类型对残余应力的影响第46-54页
  3.1.1 FR4基板上粘合剂固化过程中芯片的应力变化第48-50页
  3.1.2 Al_2O_3陶瓷基板上的粘合剂固化过程的应力变化第50-52页
  3.1.3 不同基板上残余应力分布的比较第52-53页
  3.1.4 小结第53-54页
 3.2 粘合剂对板上芯片表面残余应力的影响第54-59页
  3.2.1 固化过程中的应力演化第55-58页
  3.2.2 不同粘合剂引起的残余应力分布比较第58页
  3.2.3 小结第58-59页
 3.3 板上芯片封装中芯片在基板不同位置的残余应力研究第59-66页
  3.3.1 不同位置的残余应力分布第60-62页
  3.3.2 固化和热处理过程中残余应力的演化第62-65页
  3.3.3 小结第65-66页
 参考文献第66-67页
第四章 热处理过程中芯片表面残余应力的演化第67-82页
 4.1 固化过程中典型位置残余应力的演化第67-72页
 4.2 再固化过程中芯片表面残余应力的演化第72-74页
 4.3 在空气中储存20天后热处理时芯片表面残余应力的演化第74-76页
 4.4 有机粘合剂的热分析第76-80页
 4.5 小结第80-81页
 参考文献第81-82页
第五章 板上芯片封装应力的有限元分析第82-97页
 5.1 板上芯片封装结构的有限元模型第82-83页
 5.2 有限元模拟结果第83-95页
  5.2.1 芯片在基板的不同粘贴位置时残余应力的分布第83-89页
  5.2.2 基板的厚度对残余应力的影响第89-90页
  5.2.3 粘合胶的厚度对残余应力的影响第90-91页
  5.2.4 与实验的比较第91-95页
 5.3 小结第95-96页
 参考文献第96-97页
第六章 全文结论第97-100页
致谢第100-101页
发表论文第101-102页
个人简介第102页

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