| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 插图索引 | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·自旋电子学器件 | 第10-12页 |
| ·光自旋器件 | 第10-11页 |
| ·电自旋器件 | 第11页 |
| ·量子自旋器件 | 第11-12页 |
| ·外磁场下半导体纳米结构的电子态 | 第12-20页 |
| ·外磁场下半导体有效质量理论 | 第20-24页 |
| ·研究的意义和内容 | 第24-25页 |
| 第2章 半导体量子阱中的电子自旋极化 | 第25-34页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·理论模型 | 第26-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-33页 |
| ·结论 | 第33-34页 |
| 第3章 半导体量子阱中的Rashba 自旋劈裂 | 第34-43页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·Rashba 解析式的改进 | 第34-36页 |
| ·非线性的Rashba 劈裂 | 第36-38页 |
| ·Rashba 致电流自旋极化的共振 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-54页 |
| 附录 A 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |