| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| ·选题背景及意义 | 第8-9页 |
| ·同类研究工作国内外研究现状分析 | 第9-12页 |
| ·氢化非晶硅薄膜制备技术的研究现状 | 第9-10页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术研究现状 | 第10页 |
| ·单磁场线圈MWECR CVD沉积a-Si:H薄膜研究现状及存在的问题 | 第10-11页 |
| ·氢化非晶硅薄膜光电特性的研究 | 第11-12页 |
| ·大面积均匀氢化非晶硅薄膜制备的研究 | 第12页 |
| ·相关测试手段和方法的研究 | 第12-16页 |
| ·红外分析技术的应用和研究 | 第12-13页 |
| ·紫外测试技术及应用研究 | 第13页 |
| ·拉曼测试技术及应用研究 | 第13-15页 |
| ·暗电导激活能测试原理 | 第15-16页 |
| ·课题研究内容 | 第16-17页 |
| ·本文结构 | 第17-18页 |
| 第2章 a-Si:H薄膜中氢含量及键合方式的红外分析 | 第18-28页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·实验内容 | 第18-23页 |
| ·红外吸收谱的的基线拟合 | 第18-20页 |
| ·红外吸收谱的高斯拟合 | 第20-22页 |
| ·氢含量及硅氢键合方式组分的计算 | 第22-23页 |
| ·H_2/SiH_4稀释比与氢含量及硅氢键合模式的关系 | 第23-26页 |
| ·H_2/SiH_4稀释比对总氢含量的影响 | 第23-24页 |
| ·H_2/SiH_4稀释比对薄膜中键结构和组分的影响 | 第24-26页 |
| ·实验结果与讨论 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 a-Si:H薄膜MWECR CVD的高速均匀沉积 | 第28-40页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验内容 | 第28-29页 |
| ·样品制备 | 第28-29页 |
| ·样品测试 | 第29页 |
| ·结果分析与讨论 | 第29-39页 |
| ·工作气压与a-Si:H薄膜的沉积速率 | 第29-30页 |
| ·SiH_4气体流量与a-Si:H薄膜的沉积速率 | 第30-32页 |
| ·衬底温度与a-Si:H薄膜的沉积速率 | 第32-34页 |
| ·磁场梯度与a-Si:H薄膜的沉积速率 | 第34-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 用HW-MWECR CVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究 | 第40-50页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·实验内容 | 第40-43页 |
| ·HW-MWECR CVD系统(介绍) | 第40-42页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的制备及测试 | 第42-43页 |
| ·结构与讨论 | 第43-49页 |
| ·厚度不均匀性 | 第43-47页 |
| ·结构不均匀性 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 用LBL技术制备氢化非晶/微晶硅薄膜及其特性研究 | 第50-59页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验 | 第50-51页 |
| ·结果分析与讨论 | 第51-58页 |
| ·暗电导测试结果 | 第51-52页 |
| ·拉曼散射(Raman)谱测试结果 | 第52-54页 |
| ·红外(IR)谱测试结果 | 第54-55页 |
| ·光吸收系数与氢含量结果 | 第55-56页 |
| ·光电导衰退结果 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第6章 新型p-n-n~+型结构太阳能电池数值模拟分析 | 第59-69页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·物理模型及模拟方法 | 第59-63页 |
| ·器件结构 | 第59-61页 |
| ·Poisson方程和连续性方程 | 第61-62页 |
| ·边界条件和数值计算方法 | 第62-63页 |
| ·结果分析与讨论 | 第63-68页 |
| ·电池效率 | 第63-64页 |
| ·电池的短路电流 | 第64-65页 |
| ·电池的开路电压 | 第65-66页 |
| ·电池的填充因子 | 第66-67页 |
| ·电池最佳性能模拟结果 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
