| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·第四种电路基本元件 | 第9-11页 |
| ·Memristor的定义 | 第11-12页 |
| ·Memristor的实现 | 第12-14页 |
| ·阻变存储器(RRAM) | 第12-13页 |
| ·自旋忆阻器(Spintronic Memristor) | 第13页 |
| ·忆容与忆感(Memcapcitor and meminductors) | 第13-14页 |
| ·惠普忆阻模型与器件 | 第14-16页 |
| ·Memristor的应用 | 第16-19页 |
| ·存储 | 第16-17页 |
| ·模拟突触 | 第17-19页 |
| ·阻变的基本实验现象与分类 | 第19页 |
| ·本论文工作的意义、目的和内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 忆阻器件的基本模型 | 第23-36页 |
| ·再论忆阻的定义 | 第23-25页 |
| ·忆阻与阻变等同吗 | 第23-24页 |
| ·滞后回线 | 第24-25页 |
| ·阻变与相变的相似性 | 第25-30页 |
| ·表象变换 | 第25-26页 |
| ·相变 | 第26-27页 |
| ·电荷驱动相变 | 第27-29页 |
| ·为什么会有形成过程(Forming Step) | 第29页 |
| ·对称性破缺 | 第29-30页 |
| ·相图举例 | 第30-32页 |
| ·TiO_2 | 第30-31页 |
| ·AgGeSe | 第31页 |
| ·GST | 第31-32页 |
| ·畴 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 铟锡氧化物的制备及表征 | 第36-45页 |
| ·薄膜材料的制备工艺 | 第36-38页 |
| ·磁控溅射沉积 | 第36-37页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第37-38页 |
| ·铟锡氧化物 | 第38-39页 |
| ·非晶ITO薄膜的制备 | 第39页 |
| ·非晶铟锡氧化物(ITO)结构表征 | 第39-42页 |
| ·测试系统 | 第42页 |
| ·IV特性曲线 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 忆阻的动力学行为 | 第45-58页 |
| ·平衡位置的运动 | 第45-46页 |
| ·阻尼振动 | 第46-48页 |
| ·越过平衡位置 | 第48-53页 |
| ·Memristor连续动力学过程 | 第48-51页 |
| ·强场响应 | 第51-53页 |
| ·忆阻动力学与畴 | 第53-55页 |
| ·可逆过程与不可逆过程 | 第54-55页 |
| ·Barkhausen效应 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第58页 |
| ·展望 | 第58-60页 |
| Publication List | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |