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单片光子集成关键技术与宽带可调谐半导体激光器研究

摘要第1-5页
Abstract第5-12页
第1章 引言第12-30页
   ·选题背景介绍第12-15页
   ·光子集成技术研究进展第15-20页
     ·光子集成器件用基础材料第15-17页
     ·光子集成器件制作的关键技术第17-19页
     ·光子集成器件的发展应用第19-20页
   ·单片集成宽带可调谐半导体激光器研究进展第20-26页
     ·可调谐半导体激光器的调谐机理第21页
     ·单片集成宽带可调谐半导体激光器研究进展第21-26页
   ·论文的主要研究内容及成果第26-28页
   ·论文的组织结构第28-30页
第2章 单片光子集成器件的MOCVD对接生长工艺研究第30-49页
   ·本章引论第30-31页
   ·不同功能波导单元之间的单片集成技术第31-35页
     ·选择区域生长技术第31-32页
     ·偏移量子阱技术与双量子阱技术第32-33页
     ·量子阱混杂技术第33页
     ·非对称双波导技术第33-34页
     ·对接生长技术第34-35页
   ·有源/无源波导的MOCVD 对接生长工艺研究第35-44页
     ·MOCVD 系统简介第35-37页
     ·MOCVD 对接生长工艺流程第37-39页
     ·MOCVD 对接生长的对接界面优化第39-41页
     ·MOCVD 对接生长的外延材料质量第41-44页
   ·有源/无源对接波导的内部损耗与对接界面的反射第44-48页
     ·集成无源波导—FP 激光器与对接波导的内部损耗第44-45页
     ·对接波导的内部损耗测试第45-47页
     ·对接波导界面的反射测试第47-48页
   ·本章小结第48-49页
第3章 单片光子集成器件的微结构刻蚀工艺研究第49-68页
   ·本章引论第49-50页
   ·微结构制作中的刻蚀工艺第50-53页
     ·湿法腐蚀工艺第51-52页
     ·干法刻蚀工艺第52-53页
   ·低损伤 ICP 干法刻蚀参数优化第53-60页
     ·低损伤ICP 干法刻蚀参数优化第53-58页
     ·1.55μm InGaAsP DFB 半导体激光器的制作第58-60页
   ·波导横向限制结构第60-67页
     ·脊形波导的工艺流程第61-63页
     ·1.3μm AlGaInAs 超辐射发光二极管的制作第63-67页
   ·本章小结第67-68页
第4章 SGDBR可调谐半导体激光器的设计与制作第68-99页
   ·本章引论第68-69页
   ·有源区材料设计第69-75页
     ·量子阱有源区的结构设计第69-74页
     ·量子阱有源区的外延生长与性能表征第74-75页
   ·调谐区材料设计第75-79页
     ·调谐区的材料选择与结构设计第75-77页
     ·调谐区材料的调谐能力测试第77-79页
   ·横向限制结构设计第79-82页
     ·有源/无源波导的光场限制因子第79-81页
     ·有源/无源波导的重叠积分第81-82页
   ·SGDBR 腔镜结构设计与参数优化第82-93页
     ·SGDBR 的基本原理第83-85页
     ·SGDBR 腔镜结构设计与参数优化第85-93页
   ·SGDBR 可调谐半导体激光器的制作与性能测试第93-98页
     ·器件制作的工艺流程第93-94页
     ·器件的性能测试第94-98页
   ·本章小结第98-99页
第5章 SGDBR可调谐半导体激光器动态特性的理论研究第99-117页
   ·本章引论第99-100页
   ·模拟分析方法的理论模型第100-107页
     ·有源区的时域行波法第100-101页
     ·无源光栅区的传输矩阵法第101-103页
     ·数字滤波器方法的引入第103-107页
   ·理论模型与传输矩阵法相比的有效性第107-112页
   ·SGDBR 可调谐半导体激光器动态特性研究第112-116页
   ·本章小结第116-117页
第6章 结论第117-120页
   ·论文研究工作总结第117-118页
   ·需要进一步开展的工作第118-120页
参考文献第120-128页
致谢第128-129页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第129-130页

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