掺杂大晶粒多晶Si薄膜的制备与电学特性
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-14页 |
| ·太阳电池的发展历程 | 第9页 |
| ·多晶Si薄膜太阳电池 | 第9-11页 |
| ·多晶Si薄膜的掺杂方式 | 第11-12页 |
| ·扩散掺杂 | 第11页 |
| ·离子注入 | 第11-12页 |
| ·原位掺杂 | 第12页 |
| ·本研究采取的实验方法 | 第12-14页 |
| 第2章 实验方法 | 第14-20页 |
| ·沉积方法与实验装置 | 第14-17页 |
| ·沉积方法 | 第14页 |
| ·LPCVD实验装置 | 第14-15页 |
| ·APCVD实验装置 | 第15-16页 |
| ·扩散实验装置 | 第16-17页 |
| ·实验条件 | 第17页 |
| ·不同工艺对多晶Si薄膜的制备 | 第17页 |
| ·B原位掺杂大晶粒多晶Si薄膜的制备 | 第17页 |
| ·多晶Si薄膜的结构表征 | 第17-18页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第17-18页 |
| ·原子力显微镜 | 第18页 |
| ·拉曼散射 | 第18页 |
| ·α-台阶仪 | 第18页 |
| ·薄层电阻的测量 | 第18-19页 |
| ·大晶粒多晶Si薄膜太阳电池光伏性能的模拟仿真 | 第19-20页 |
| 第3章 大晶粒多晶Si薄膜太阳电池的特性模拟 | 第20-26页 |
| ·太阳电池的等效模型 | 第20-21页 |
| ·晶粒形状对太阳电池转换效率的影响 | 第21-23页 |
| ·Si晶粒的模型化 | 第21-22页 |
| ·少子寿命对太阳电池效率的影响 | 第22-23页 |
| ·晶粒大小对太阳电池转换效率的影响 | 第23页 |
| ·表面复合速率对太阳电池转换效率的影响 | 第23-24页 |
| ·基区掺杂浓度对太阳电池转换效率的影响 | 第24-25页 |
| ·少子扩散长度对太阳电池转换效率的影响 | 第25-26页 |
| 第4章 本征大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征 | 第26-35页 |
| ·多晶Si薄膜的生长速率 | 第26-29页 |
| ·薄膜生长速率与沉积温度的关系 | 第26-27页 |
| ·薄膜生长速率与SiH_4浓度的关系 | 第27-29页 |
| ·工艺条件对多晶Si薄膜形成的影响 | 第29-35页 |
| ·沉积温度对于晶粒的影响 | 第29-31页 |
| ·反应气源浓度对于薄膜晶粒的影响 | 第31-33页 |
| ·反应压强对于薄膜晶粒的影响 | 第33-35页 |
| 第5章 掺杂大晶粒多晶Si薄膜的生长与电学特性 | 第35-42页 |
| ·不同温度对多晶Si薄膜薄层电阻的影响 | 第35-37页 |
| ·大晶粒多晶Si薄膜的生长 | 第35页 |
| ·利用高温后扩散对薄膜掺杂 | 第35-37页 |
| ·膜层厚度对多晶Si薄膜薄层电阻的影响 | 第37-38页 |
| ·不同衬底对多晶Si薄膜薄层电阻的影响 | 第38-39页 |
| ·晶粒大小对多晶Si薄膜薄层电阻的影响 | 第39-40页 |
| ·原位掺杂 | 第40-42页 |
| 第6章 结束语 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
