| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-44页 |
| ·课题背景 | 第14-15页 |
| ·太阳电池的工作原理和物理模型 | 第15-23页 |
| ·光生伏特效应 | 第15-16页 |
| ·太阳电池的基本结构和电学参数 | 第16-17页 |
| ·非平衡载流子的输运规律 | 第17-20页 |
| ·太阳电池的等效电路和基本方程 | 第20-21页 |
| ·空间GaInP/GaAs/Ge太阳电池工作原理 | 第21-23页 |
| ·空间带电粒子辐射环境 | 第23-26页 |
| ·地球辐射带 | 第23-24页 |
| ·太阳宇宙线和银河宇宙线 | 第24-25页 |
| ·航天器常用轨道的环境特点 | 第25-26页 |
| ·空间太阳电池的发展及应用 | 第26页 |
| ·太阳电池的辐照损伤效应研究现状 | 第26-33页 |
| ·入射粒子的性质对GaAs太阳电池性能的影响 | 第27-30页 |
| ·辐照损伤微观缺陷研究现状 | 第30-32页 |
| ·太阳电池辐照损伤机理的表征 | 第32-33页 |
| ·太阳电池的在轨性能退化预测研究现状 | 第33-42页 |
| ·等效注量法 | 第33-38页 |
| ·位移损伤剂量法 | 第38-40页 |
| ·等效通量法 | 第40-42页 |
| ·劳申巴赫方法 | 第42页 |
| ·本文的研究目的和主要内容 | 第42-44页 |
| 第2章 试验材料、设备及研究方法 | 第44-52页 |
| ·试验材料 | 第44-45页 |
| ·空间GaAs/Ge太阳电池的结构和电学参数 | 第44-45页 |
| ·空间GaInP/GaAs/Ge太阳电池的结构和电学参数 | 第45页 |
| ·试验设备 | 第45-47页 |
| ·空间辐射环境模拟设备 | 第46-47页 |
| ·电学性能测试设备 | 第47页 |
| ·辐照试验参数的选择 | 第47-49页 |
| ·质子、电子能量和注量的选择 | 第48页 |
| ·质子和电子通量的选择 | 第48-49页 |
| ·电子和质子辐照试验方案 | 第49-51页 |
| ·GaAs/Ge太阳电池辐照试验方案 | 第49-50页 |
| ·GaInP/GaAs/Ge太阳电池辐照试验方案 | 第50-51页 |
| ·太阳电池辐照损伤效应的微观分析方法 | 第51-52页 |
| ·光谱响应测试 | 第51页 |
| ·深能级瞬态谱测试 | 第51-52页 |
| 第3章 GaAs/Ge太阳电池的辐照损伤效应 | 第52-78页 |
| ·Monte-Carlo程序模拟分析 | 第52-55页 |
| ·SRIM程序模拟结果 | 第52-54页 |
| ·CASINO程序模拟结果 | 第54-55页 |
| ·GaAs/Ge太阳电池的质子辐照损伤效应 | 第55-61页 |
| ·<200keV质子的辐照损伤效应 | 第55-59页 |
| ·高能质子辐照损伤效应 | 第59-61页 |
| ·GaAs/Ge太阳电池电子辐照损伤效应 | 第61-65页 |
| ·光谱响应测试结果 | 第62-63页 |
| ·电学参数测试结果 | 第63-65页 |
| ·GaAs/Ge电池的质子电子综合辐照效应 | 第65-68页 |
| ·辐照损伤微观缺陷分析 | 第68-69页 |
| ·GaAs/Ge电池的辐照损伤模型和机理分析 | 第69-76页 |
| ·短路电流退化模型和机理分析 | 第69-73页 |
| ·开路电压的退化模型和机理分析 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第4章 GaInP/GaAs/Ge太阳电池辐照损伤效应 | 第78-96页 |
| ·Monte-Calo程序模拟分析 | 第78-79页 |
| ·GaInP/GaAs/Ge太阳电池的质子辐照损伤效应 | 第79-84页 |
| ·<200keV的低能质子辐照损伤效应 | 第79-83页 |
| ·高能质子辐照损伤效应 | 第83-84页 |
| ·GaInP/GaAs/Ge太阳电池电子辐照损伤效应 | 第84-90页 |
| ·光谱响应测试结果分析 | 第84-88页 |
| ·暗I-V特性分析 | 第88-90页 |
| ·电学参数测试结果分析 | 第90页 |
| ·GaInP/GaAs/Ge太阳电池辐照微观缺陷分析 | 第90-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第5章 空间GaAs太阳电池在轨性能退化预测 | 第96-137页 |
| ·空间辐射环境参数的确定 | 第96-100页 |
| ·地球辐射带 | 第96-98页 |
| ·太阳宇宙线质子能谱 | 第98-99页 |
| ·防护盖片后带电粒子能谱 | 第99-100页 |
| ·地面等效模拟加速试验 | 第100-109页 |
| ·等效模拟加速试验方法 | 第100-102页 |
| ·质子通量对GaAs/Ge太阳电池辐照效应的影响 | 第102-105页 |
| ·太阳电池加速试验理论分析 | 第105-109页 |
| ·空间GaAs/Ge太阳电池在轨性能退化预测 | 第109-120页 |
| ·等效注量法 | 第109-115页 |
| ·位移损伤剂量法 | 第115-120页 |
| ·空间GaInP/GaAs/Ge太阳电池在轨性能退化预测 | 第120-130页 |
| ·等效注量法 | 第120-124页 |
| ·位移损伤剂量法 | 第124-130页 |
| ·在轨性能退化预测方法的改进 | 第130-135页 |
| ·单结GaAs/Ge太阳电池 | 第131-133页 |
| ·三结GaInP/GaAs/Ge太阳电池 | 第133-135页 |
| ·本章小结 | 第135-137页 |
| 结论 | 第137-139页 |
| 参考文献 | 第139-149页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第149-151页 |
| 致谢 | 第151-152页 |
| 个人简历 | 第152页 |
