| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-45页 |
| ·热电材料简介 | 第13-23页 |
| ·历史回溯 | 第13-14页 |
| ·基本热电效应和原理 | 第14-16页 |
| ·热电材料优值 | 第16-19页 |
| ·热电材料性能的固体理论简述 | 第19-23页 |
| ·Bi_2Te_3基材料 | 第23-33页 |
| ·Bi_2Te_3的性质 | 第23-25页 |
| ·Bi_2Te_3基合金和掺杂 | 第25-27页 |
| ·Bi_2Te_3基合金研究进展 | 第27-33页 |
| ·Bi_2Te_3基薄膜的电化学沉积 | 第33-43页 |
| ·欠电位沉积(Under-Potential Deposition,UPD) | 第34页 |
| ·晶体结构和成膜机理 | 第34-36页 |
| ·控制和影响薄膜结构和性能的其他因素 | 第36-41页 |
| ·电化学法应用 | 第41-43页 |
| ·本文研究思路和主要内容 | 第43-45页 |
| 第二章 材料制备和测试 | 第45-55页 |
| ·材料合成与制备 | 第45-51页 |
| ·试剂 | 第45-46页 |
| ·电化学沉积 | 第46-48页 |
| ·负极制备和预处理 | 第48页 |
| ·添加剂合成 | 第48-49页 |
| ·单轴热压(HUP) | 第49-51页 |
| ·性能测试 | 第51-55页 |
| ·X衍射结构分析(XRD) | 第51页 |
| ·场发射扫描电镜和能谱分析(FESEM/EDS) | 第51-52页 |
| ·电学性能(α-σ仪) | 第52-54页 |
| ·差热分析 | 第54-55页 |
| 第三章 酸性电解液中Bi_2Te_3基薄膜的电化学沉积 | 第55-82页 |
| ·Bi,Sb,Te一元电化学沉积 | 第55-61页 |
| ·薄膜表面的电化学反应 | 第55页 |
| ·一元沉积薄膜的晶体结构和形貌 | 第55-61页 |
| ·Bi,Sb,Te二元脉冲电化学沉积 | 第61-80页 |
| ·薄膜表面的电化学反应 | 第61页 |
| ·沉积电位E(或V_(bias)) | 第61-63页 |
| ·脉冲频率、波幅 | 第63-71页 |
| ·脉冲波形 | 第71-73页 |
| ·频率切换脉冲(FSK) | 第73-75页 |
| ·酸根离子 | 第75-77页 |
| ·其他添加剂 | 第77-79页 |
| ·沉积中形成的纳米结构 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第四章 碱性电解液中Bi_2Te_3基薄膜的电化学沉积 | 第82-111页 |
| ·Bi_2Te_3薄膜 | 第82-94页 |
| ·薄膜表面的电化学反应 | 第82-85页 |
| ·阳离子聚合物添加剂 | 第85-89页 |
| ·合成阳离子聚合物 | 第89-92页 |
| ·其他添加剂 | 第92-93页 |
| ·Bi,Te,Se三元共沉积 | 第93-94页 |
| ·热电性能 | 第94页 |
| ·Sb_2Te_3薄膜 | 第94-104页 |
| ·薄膜表面的电化学反应 | 第94-98页 |
| ·阳离子聚合物添加剂 | 第98-99页 |
| ·电化学沉积条件和方式 | 第99-104页 |
| ·Bi,Sb,Te三元共沉积 | 第104-109页 |
| ·薄膜表面的电化学反应 | 第104-106页 |
| ·阳离子聚合物添加剂 | 第106-107页 |
| ·络合剂 | 第107-108页 |
| ·沉积电位波形调制 | 第108页 |
| ·热电性能 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-111页 |
| 第五章 碱性电解液中沉积的Sb_2Te_3薄膜热电性能和后处理 | 第111-118页 |
| ·非晶态Sb_2Te_3薄膜热电性能 | 第111-112页 |
| ·非晶态Sb_2Te_3薄膜升温相变 | 第112-113页 |
| ·非晶态Sb_2Te_3薄膜HUP处理 | 第113-115页 |
| ·HUP处理Sb_2Te_3薄膜热电性能 | 第115-117页 |
| ·本章小结 | 第117-118页 |
| 第六章 结论 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-135页 |
| 附录Ⅰ 作者简历 | 第135-136页 |
| 附录Ⅱ 博士生学习期间完成的论文和专利 | 第136页 |
